[实用新型]一种垂直腔面发射激光器有效

专利信息
申请号: 202022856768.2 申请日: 2020-12-01
公开(公告)号: CN213636610U 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 翁玮呈;丁维遵;刘嵩;梁栋 申请(专利权)人: 常州纵慧芯光半导体科技有限公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/42
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 213000 江苏省常州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 垂直 发射 激光器
【权利要求书】:

1.一种垂直腔面发射激光器,其特征在于,包括:

衬底;

第一欧姆接触层,形成在所述衬底的第一表面上;

第一反射层,形成在所述第一欧姆接触层背离所述衬底一侧的表面上,包括第一沟槽和多个第二沟槽,第一沟槽暴露至所述第一欧姆接触层,每个所述第二沟槽的底部厚度大于零。

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述第一反射层还包括第一台型结构和第二台型结构,所述第二台型结构上设置有多个第三台型结构。

3.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,沿所述衬底指向所述第一欧姆接触层的方向上,所述第一台型结构上依次设置有,第一有源层、第一个第二反射层、第一个第二欧姆接触层、第一绝缘层和第一电极层;

所述第一沟槽的底部设置有第一导电金属,侧壁设置有第一绝缘层,且所述第一绝缘层延伸至所述第一沟槽的底部,覆盖部分所述第一导电金属;

所述第一电极层与所述第一导电金属电连接。

4.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述第一沟槽包括第一矩形沟槽。

5.根据权利要求4所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述第一沟槽还包括第二矩形沟槽,所述第二矩形沟槽与所述第一矩形沟槽形成T型沟槽或者L型沟槽。

6.根据权利要求5所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述第一电极层仅与所述第二矩形沟槽中第一导电金属电连接。

7.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,沿所述衬底指向所述第一欧姆接触层的方向上,每个所述第三台型结构上依次设置有,第二有源层、第二个第二反射层、第二个第二欧姆接触层、第二导电金属层、第二绝缘层和第二电极层;

其中,所述第二绝缘层覆盖部分所述第二导电金属层,以及覆盖每个所述第二沟槽的底部和侧壁,所述第二电极层与所述第二导电金属层电连接。

8.根据权利要求7所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述第二沟槽为环形沟槽;所述第三台型结构为圆柱型台面。

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