[实用新型]一种晶圆体保护薄膜

说明书

一种晶圆体保护薄膜，用于解决现有的膜揭开后留有残胶以及卷绕成卷的膜相互黏附不便于揭开起头的技术问题。包括聚酯薄膜层、印刷层和胶粘剂层，所述印刷层均布在所述聚酯薄膜层一面，所述胶粘剂层均布在所述印刷层上；所述胶粘剂层包括无痕胶层和隔离带层，所述无痕胶层的一面黏附在所述印刷层上，所述隔离带层黏附在所述无痕胶层的另一面，所述隔离带层包括由若干长条形的聚酯膜构成的隔离带，所述隔离带均布在所述无痕胶层的延伸方向的垂直方向上，无痕胶层在揭开时不会留有残胶，隔离带可以使得卷绕成卷的保护薄膜相互分开，在使用时便于揭开保护薄膜的起头；本实用新型主要用于晶圆体的保护。

技术领域

本实用新型涉及保护膜加工的技术领域，具体涉及一种晶圆体保护薄膜。

背景技术

晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。晶棒再经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。

晶圆体在使用过程中需要在其表面上附着一层具有耐水性和延伸性膜，从而对晶圆体进行保护，当膜层发生损伤时会更换新的膜层，现有的保护膜黏附在晶圆体表面上后无法完全揭开从而会留有残胶，再进行二次膜层的粘附时会影响膜层的保护作用，且现有的膜由于自身具有粘性，在使用时自身会相互黏附导致在二次使用时不便于揭开膜的起头。

实用新型内容

本实用新型目的是针对现有技术的不足，推出一种晶圆体保护薄膜，用于解决背景技术中提到的现有的膜揭开会留有残胶以及不便于揭开膜的起头的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型采用了如下的技术方案：

一种晶圆体保护薄膜，所述保护薄膜包括聚酯薄膜层、印刷层和胶粘剂层，所述印刷层位于聚酯薄膜层和胶粘剂层之间；所述胶粘剂层包括无痕胶层和隔离带层，所述无痕胶层黏附在所述印刷层上和隔离带层之间，所述隔离带层包括由若干长条形的聚酯膜构成的隔离带，多条隔离带相互平行，所述隔离带均布在所述无痕胶层上。

进一步的，所述隔离带的两端均设置在所述无痕胶层内，所述隔离带的长度为所述无痕胶层宽度1/3～1/4。

进一步的，所述隔离带的长度方向上设置有色压痕，以用于在裁剪所述保护薄膜时起到导向作用。

进一步的，所述聚酯薄膜层的厚度为10～25μm。

进一步的，所述印刷层的厚度为0.6～1μm。

进一步的，所述胶粘剂层的厚度为50～100μm。

进一步的，所述隔离带的宽度为2～4mm。

进一步的，相邻所述隔离带之间的垂直距离为隔离带宽度25～40倍。

本实用新型的有益效果为：

本实用新型所设计的晶圆体保护薄膜，具有粘性的膜层为无痕胶层，该种无痕胶层在保证粘性的情况下，揭下时不会在晶圆体的表面留下残胶，且在无痕胶层上设置隔离带层，在使用时隔离带层的设置可以使得卷绕一起的保护薄膜在隔离带层所在处相互分开，在二次使用时方便找到保护薄膜的起头。

附图说明

图1为本实用新型卷绕时的结构示意图；

图2为本实用新型的结构示意图；

图3为本实用新型的立体结构图；

图4为本实用新型的俯视图。

附图标记说明：100、保护薄膜；110、聚酯薄膜层；120、印刷层；130、胶粘剂层；131、无痕胶层；132、隔离带层；1321、隔离带；1322、压痕。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型中的技术方案进一步说明。