[实用新型]一种阵列基板、显示面板及显示装置有效
| 申请号: | 202022635840.9 | 申请日: | 2020-11-13 |
| 公开(公告)号: | CN214410572U | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
| 发明(设计)人: | 付帮然;陈华斌;高英强;李力强;宋勇志 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号: | G09F9/30 | 分类号: | G09F9/30;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 王迪 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
本申请公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置,用以避免栅绝缘层静电击穿造成栅线与公共电极引线短路。本申请实施例提供的阵列基板包括:栅线和数据线,以及像素单元,栅线和数据线设置在至少部分相邻像素单元之间;还包括:公共电极引线,以及公共电极层;公共电极引线与数据线同层设置且沿相同的方向延伸并位于至少部分相邻像素单元之间;公共电极层与公共电极引线通过绝缘层相绝缘,并通过绝缘层上的过孔相连接;过孔位于栅线和公共电极引线相交叉的区域;栅线包括远离过孔的沿第一方向延伸的直线部分;栅线还包括靠近过孔的沿过孔边缘曲线环绕的曲线部分,该曲线部分为避让过孔的避让部。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
显示面板在制造和使用时会因为各种各样的原因产生静电积累,当静电积累到一定程度,会在面板抗静电能力较为薄弱的地方释放,造成一系列的显示异常。目前主流的防静电措施是在面板周围设计静电释放(ESD)单元,ESD单元接地,导出静电,但在ESD单元形成之前,例如在阵列基板制备过程中因基板运输、薄膜沉积、刻蚀等造成的静电积累,无法导出,积累到一定程度,会在抗静电能力较为薄弱的过孔位置释放,造成静电击穿,引起一系列的短路不良,造成良率的损失。
实用新型内容
本申请实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置,用以避免栅绝缘层静电击穿造成栅线与公共电极引线短路。
本申请实施例提供的一种阵列基板,所述阵列基板包括:交叉设置的多条栅线和多条数据线,以及多个像素单元,栅线和数据线设置在至少部分相邻像素单元之间;
所述阵列基板还包括:公共电极引线,以及位于所述公共电极引线之上的公共电极层;
所述公共电极引线与所述数据线同层设置且沿相同的方向延伸并位于至少部分相邻所述像素单元之间;
所述公共电极层与所述公共电极引线通过绝缘层相绝缘,并通过所述绝缘层上的过孔相连接;所述过孔位于所述栅线和公共电极引线相交叉的区域;
所述栅线包括远离所述过孔的沿第一方向延伸的直线部分;所述栅线还包括靠近所述过孔的沿所述过孔边缘曲线环绕的曲线部分,该曲线部分为避让所述过孔的避让部。
在一些实施例中,所述过孔在所述衬底基板的正投影的形状为圆形或椭圆形,所述避让部在所述衬底基板的正投影的形状为弧形。
在一些实施例中,所述栅线包括:第一栅线,以及第二栅线;
所述第一栅线位于沿所述第一方向延伸的每行所述像素单元的上方,所述第二栅线位于沿所述第一方向延伸的每行所述像素单元的下方;
所述第一栅线和所述第二栅线的沿伸方向相同,且在相邻两行所述像素单元之间;
所述第一栅线包括与所述直线部分连接的第一避让部,所述第二栅线包括与所述直线部分连接的第二避让部;
所述第一避让部和所述第二避让部分别环绕所述过孔相对的两个边缘;
多个像素单元包括:交替排列的第一像素单元和第二像素单元;所述第一像素单元包括第一薄膜晶体管,所述第二像素单元包括第二薄膜晶体管;
所述第一栅线与所述第一薄膜晶体管电连接,所述第二栅线与所述第二薄膜晶体管电连接。
在一些实施例中,所述阵列基板还包括:衬底基板;所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管包括:在所述衬底基板之上依次设置的栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极;
所述栅线与所述栅极同层设置,所述公共电极引线与所述源极和所述漏极同层设置,所述绝缘层包括位于所述源极和所述漏极之上的钝化层。
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