[实用新型]一种真空灭弧室结构

权利要求书

1.一种真空灭弧室结构，包括绝缘外壳(2)、屏蔽筒(1)、静导电杆(3)以及动导电杆(4)，所述屏蔽筒(1)的两端分别连接于两个所述绝缘外壳(2)，所述绝缘外壳(2)与所述屏蔽筒(1)之间形成真空腔(21)，所述静导电杆(3)和所述动导电杆(4)穿设于所述真空腔(21)并能够相互抵接，以在所述真空腔(21)内形成电场，其特征在于，还包括：

第一屏蔽环组件(5)，其设置于所述真空腔(21)内并连接于一个所述绝缘外壳(2)内壁，所述静导电杆(3)穿设于所述第一屏蔽环组件(5)；

第二屏蔽环组件(6)，其设置于所述真空腔(21)内并连接于另一个所述绝缘外壳(2)内壁，所述动导电杆(4)穿设于所述第二屏蔽环组件(6)；

所述第一屏蔽环组件(5)和所述第二屏蔽环组件(6)共同用于均衡所述真空腔(21)内电场。

2.根据权利要求1所述的真空灭弧室结构，其特征在于，所述第一屏蔽环组件(5)和所述第二屏蔽环组件(6)均包括多个平行且间隔设置的屏蔽环。

3.根据权利要求2所述的真空灭弧室结构，其特征在于，所述绝缘外壳(2)的内壁上设置环形凸起(22)，位于所述绝缘外壳(2)中部的所述屏蔽环上对应所述环形凸起(22)设置有环形凹槽(521)，所述环形凸起(22)卡接于所述环形凹槽(521)。

4.根据权利要求3所述的真空灭弧室结构，其特征在于，所述环形凸起(22)上设置有第一金属化层，位于所述绝缘外壳(2)中部的所述屏蔽环能够通过所述第一金属化层焊接于所述绝缘外壳(2)内壁。

5.根据权利要求2所述的真空灭弧室结构，其特征在于，在所述绝缘外壳(2)两端的内壁设置有第二金属化层，位于所述绝缘外壳(2)两端的所述屏蔽环通过所述第二金属化层焊接于所述绝缘外壳(2)内壁。

6.根据权利要求2所述的真空灭弧室结构，其特征在于，在所述屏蔽环的端部沿其周向凸设有加强部(54)，所述加强部(54)向靠近所述屏蔽环轴线的方向延伸，所述加强部(54)用于加强所述屏蔽环端部的电场。

7.根据权利要求1所述的真空灭弧室结构，其特征在于，所述绝缘外壳(2)上设置有外壳凸起(23)，使所述绝缘外壳(2)爬电距离增大，其中爬电距离是指所述动导电杆(4)和所述静导电杆(3)周围的所述绝缘外壳(2)被电极化，使所述绝缘外壳(2)呈现带电现象的带电区。

8.根据权利要求2所述的真空灭弧室结构，其特征在于，所述屏蔽环沿所述绝缘外壳(2)轴向方向的宽度可调。

9.根据权利要求2所述的真空灭弧室结构，其特征在于，沿所述绝缘外壳(2)轴向方向，位于所述绝缘外壳(2)中部的所述屏蔽环的宽度大于位于所述绝缘外壳(2)两端的所述屏蔽环的宽度。

10.根据权利要求1-9任一项所述的真空灭弧室结构，其特征在于，还包括波纹管(42)，所述动导电杆(4)穿设于所述波纹管(42)。