[实用新型]一种带有抗干扰电路的射频导纳料位计有效
申请号: | 202022339733.1 | 申请日: | 2020-10-20 |
公开(公告)号: | CN212843849U | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 徐梦阳;党春涛 | 申请(专利权)人: | 河南自动化仪表有限公司 |
主分类号: | G01F23/22 | 分类号: | G01F23/22 |
代理公司: | 郑州豫鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 41178 | 代理人: | 轩文君 |
地址: | 450000 河南省郑州市*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 带有 抗干扰 电路 射频 导纳 料位计 | ||
1.一种带有抗干扰电路的射频导纳料位计,包括流化筒(5),其特征在于,所述的流化筒(5)内同轴转动连接一搅拌轴(6),所述的搅拌轴(6)下端同轴连接多组搅拌杆(7),所述的搅拌轴(6)上端与安装在流化筒(5)上端的驱动电机(8)的输出轴同轴连接,所述的流化筒(5)内的前后两侧分别连接有进料通道(9),所述的进料通道(9)的下端高于搅拌杆(7)的上端,所述的流化筒(5)内的左右两侧分别连接有射频导纳料位计(10),所述的射频导纳料位计(10)下端连接一伸入至流化筒(5)内的测量杆(11),所述的流化筒(5)内同轴设置一竖向滑动配合在流化筒(5)内的稳流板(12),所述的流化筒(5)内侧壁上的下端连接有多组位置高于测量杆(11)下端面的限位板(13),所述的搅拌轴(6)和测量杆(11)竖向穿过稳流板(12);
所述的射频导纳料位计(10)中包括振荡器(1)电源温度补偿电路和振荡消减电路;
其中所述的振荡器(1)电源温度补偿电路包括输入电源VCC1、输出电源VCC2、能隙型基准源V1LM185、限流电阻R1、接地电阻R2、反馈电阻R3、温敏电阻RT4、运算放大器YF3、输出电源的滤波电容C1,输入电源VCC1经过限流电阻R1串联到能隙型基准源V1LM185上,运算放大器YF3的正输入端与能隙型基准源V1LM185的输出连接,运算放大器YF3的负输入端通过接地电阻R2接地,运算放大器YF3的输出分为两部分,一部分经过依次串联的温敏电阻RT4和反馈电阻R3反馈到运算放大器YF3的负输入端,另一部分连接到输出电源VCC2,输出电源的滤波电容C1与输出电源VCC2串联;
其中所述的振荡消减电路包括振荡器(1)、采样电桥、同轴电缆屏蔽端(3)、同轴电缆中心端(4),振荡器(1)驱动器YF1、跟随器型驱动电路YF2、待测物电容CX、地GND,振荡器(1)的信号输出到振荡器(1)驱动器YF1的正输入端,振荡器(1)驱动器YF1的输出信号一部分输出到采样电桥中,另一部分进入振荡器(1)驱动器YF1的负输入端作为其反馈信号;通过振荡器(1)驱动器使消耗的能量得到补充,稳定加在传感器的振荡电压;传感器通过同轴电缆屏蔽端(3)、同轴电缆中心端(4)和传感器地端连接入电路中;采样电桥的输出信号一部分输出到同轴电缆中心端(4),通过传感器测量待测物电容;同轴电缆屏蔽的另一端连接到传感器中心端上;采样电桥的输出信号一部分从采样电桥的输出起始点连接到跟随器型驱动电路中,跟随器型驱动电路的输出端连接到同轴电缆屏蔽端(3);传感器地端是一条独立的电缆接地。
2.根据权利要求1所述的一种带有抗干扰电路的射频导纳料位计,其特征在于,所述的测量杆(11)为矩形状的杆体结构,所述的稳流板(12)上开有与测量杆(11)相配合使用的十字形的矩形孔(14),所述的矩形孔(14)的四周侧壁上开有容纳腔(15),所述的容纳腔(15)内滑动配合有伸缩块(16),所述的伸缩块(16)底部与容纳腔(15)内底面之间连接有复位弹簧(17),所述的伸缩块(16)端部固定连接一单向轴承(18),所述的单向轴承(18)外套装有一清洁辊(19),所述的清洁辊(19)与测量杆(11)的外侧壁相接触。
3.根据权利要求1所述的一种带有抗干扰电路的射频导纳料位计,其特征在于,所述的稳流板(12)底部安装有耐高温陶瓷板(20),所述的稳流板(12)内部开有环形的密封区(21)。
4.根据权利要求1所述的一种带有抗干扰电路的射频导纳料位计,其特征在于,跟随器型驱动电路中,采样电桥的输出信号一部分从采样电桥的输出起始点连接到同相放大器YF2的正输入端,同相放大器YF2的输出信号一部分输出到同轴电缆屏蔽端(3),另一部分进入同相放大器YF2的负输入端作为其反馈信号。
5.根据权利要求1所述的一种带有抗干扰电路的射频导纳料位计,其特征在于,跟随器型驱动电路中,同相放大器YF2是现代低噪声低温度漂移的高精度运算放大器。
6.根据权利要求1所述的一种带有抗干扰电路的射频导纳料位计,其特征在于,R1∈100~200KΩ;R2∈30~60KΩ;R3∈120~160KΩ;R4∈1~5KΩ。
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