[实用新型]一种GOA电路、阵列基板和显示装置

说明书

本实用新型公开了一种GOA电路、阵列基板和显示装置，所述GOA电路包括GOA区域，所述GOA区域包括多个相互级联的GOA单元电路；引线区域，所述引线区域包含一端与至少一个所述GOA单元电路连接的STV信号线，以及一端与至少一个所述GOA单元电路连接的非STV信号线；所述STV信号线与所述非STV信号线的另一端与驱动芯片连接；所述STV信号线从所述驱动芯片延伸到所述引线区域中远离所述GOA单元的区域并绕过所述非STV信号线延伸到所述GOA区域与所述至少一个所述GOA单元电路连接，绕过所述非STV信号线延伸到所述GOA区域的STV信号线与所述非STV信号线无交叠。本实用新型提供的实施例通过指定布线位置的STV信号线能够有效提高GOA电路的防静电性能，具有广泛的应用前景。

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种GOA电路、阵列基板和显示装置。

背景技术

位于阵列基板上的栅极驱动电路(Gate on Array，GOA)技术应用在显示产品中，随着产品尺寸的增大，信号线加长，在产品制程及制程测试中容易产生静电释放(Electra－Staticd ischarge，ESD)。特别是氧化物TFT产品，ESD发生率较a－SiTFT产品更高。

实用新型内容

为了解决上述问题至少之一，本实用新型提供一种GOA电路，包括：

GOA区域，所述GOA区域包括多个相互级联的GOA单元电路；

引线区域，所述引线区域包含一端与至少一个所述GOA单元电路连接的STV信号线，以及一端与至少一个所述GOA单元电路连接的非STV信号线，所述非STV信号线至少包括Vdd信号线、Clk信号线、VGH信号线、VGL信号线中的一个；

所述STV信号线与所述非STV信号线的另一端与驱动芯片连接；

所述引线区域包含靠近所述GOA单元的区域和远离所述GOA单元的区域，所述STV信号线从所述驱动芯片延伸到所述引线区域中的所述远离所述GOA单元的区域并绕过所述非STV信号线延伸到所述GOA区域与所述至少一个所述GOA单元电路连接，绕过所述非STV信号线延伸到所述GOA区域的STV信号线与与所述非STV信号线无交叠。

在一些实施例中，GOA电路还包括与所述STV信号线不同层设置的静电释放电极，所述静电释放电极与所述STV信号线中的绕过所述非STV信号线延伸到所述GOA区域的部分存在交叠区域。

在一些实施例中，所述静电释放电极为蛇形线结构，并且所述蛇形线结构的静电释放电极的覆盖区域的宽度不小于所述STV信号线的宽度。

在一些实施例中，GOA电路还包括与所述STV信号线间隔设置的辅助信号线；

所述辅助信号线配置为一端能够与所述驱动芯片连接，从所述驱动芯片延伸并沿所述STV信号线绕过所述非STV信号线，使得所述辅助信号线与所述非STV信号线无交叠；

所述辅助信号线的另一端与所述静电释放电极电连接。

在一些实施例中，所述辅助信号线和所述STV信号线连接到所述驱动芯片的同一个信号输出口。

在一些实施例中，

所述STV信号线与GOA电路中的晶体管的栅极层、或者源极和漏级层中的一个同层并同材料形成；

所述辅助信号线与GOA电路中的晶体管的栅极层、或者源极和漏级层中的一个同层并同材料形成；

所述静电释放电极与GOA电路中的晶体管的栅极层、或者源极和漏级层中不同于所述STV信号线的一个同层并同材料形成。

在一些实施例中，

所述STV信号线和辅助信号线同层设置，所述辅助信号线通过第一过孔与所述静电释放电极电连接；