[实用新型]一种提高硅芯结晶速度的装置

说明书

本实用新型公开了硅芯制备技术领域中一种提高硅芯结晶速度的装置，包括气体输送环、第一出气板和第二出气板等，冷源惰性气体沿气体输送环进入到第一出气管和第三出气管，并沿第一出气板和第二出气板排出，位置相对的第一出气板和第二出气板为相互对称的弧形板，位置相对的第一出气板和第二出气板位于硅芯周侧，第一出气板和第二出气板均为空腔结构，位置相对的第一出气板和第二出气板相对的侧壁上分别均匀开设有出气孔，由于第一出气板和第二出气板环绕硅芯，因此其出气更加均匀，利于均匀冷却硅芯，提高硅芯结晶速度。

技术领域

本实用新型涉及硅芯制备技术领域，具体领域为一种提高硅芯结晶速度的装置。

背景技术

多晶硅产业是战略性产业，多晶硅材料支撑了半导体材料工业，而半导体材料工业直接关系到微电子产业、电力电子产业以及光伏产业产生的发展速度，硅芯的制备工艺主要包括区熔法和切割法，其中区熔法使用较为广泛，其通过利用还原炉制备一定直径的沉积棒作为原料棒，然后将原料棒通过区熔工艺拉制成具有一定直径和长度的圆形硅芯，硅芯在拉制过程中，籽晶通过籽晶夹头夹持，待高频线圈将原料棒的上端头融化后，籽晶夹头带动籽晶下降直至穿过高频线圈的拉制孔插入原料棒上端的溶液内，然后通过籽晶夹头带动籽晶上升，此时籽晶带动溶液上升并重新结晶，最终形成所需长度的硅芯，而目前本领域技术人员在拉制硅芯时，当籽晶带着融液上升，当融液离开高频线圈的拉制孔后进行自然冷却并重新结晶，结晶速度较慢，现有的解决结晶速度慢的技术手段为通过向硅芯吹冷源惰性气体而加速硅芯结晶，但现有吹气结构均为普通气管，对硅芯吹气存在不均匀的情况，导致硅芯冷却不均匀，为此提出一种提高硅芯结晶速度的装置。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种提高硅芯结晶速度的装置，以解决背景技术中提到的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种提高硅芯结晶速度的装置，包括气体输送环，所述气体输送环的侧壁上连通设置有进气管，所述气体输送环的下端沿环形均匀连通设置有第一出气管，所述气体输送环的中心处通过连接管连通设置第二出气管的一端，所述第二出气管的另一端沿环形等距连通设置有第三出气管，所述第一出气管和所述第三出气管的出气端分别连通设置有相互配合使用的第一出气板和第二出气板，位置相对的所述第一出气板和所述第二出气板为相互对称的弧形板，位置相对的所述第一出气板和所述第二出气板位于硅芯周侧，所述第一出气板和所述第二出气板均为空腔结构，位置相对的所述第一出气板和所述第二出气板相对的侧壁上分别均匀开设有出气孔。

优选的，所述第一出气板和所述第二出气板的侧壁上均设置有连接接头。

优选的，所述气体输送环的下侧设置有用于回收冷源惰性气体的气体回收组件。

优选的，所述气体回收组件包括底部腔体，所述底部腔体的周侧连通设置有周侧腔体，所述底部腔体和所述周侧腔体的内侧壁上分别均匀开设有收气孔，所述底部腔体的下端连通设置收气管的一端，所述收气管的另一端与风机的进气端相连接。

优选的，所述风机的出气端与集气箱连接，所述集气箱的进气端安装有单向阀，所述集气箱上安装有压力表。

优选的，所述周侧腔体的上端所在水平面高于所述第一出气板和所述第二出气板的上端所在水平面。