[实用新型]低边防反保护电路

权利要求书

1.一种低边防反保护电路，其特征在于，包括：

防反开关元件，包括第一极、第二极以及第一控制极，所述第一极和第二极分别耦合至电源负极以及电路负载耦合至接地端的一端，所述第一控制极耦合至接地端，所述第一控制极控制所述第一极和第二极之间的联通与断开；

主动开关元件，包括第三极、第四极以及第二控制极，所述第三极和第四极分别耦合至所述防反开关元件的第一控制极和电源正极，所述第二控制极控制所述第三极和第四极之间的联通与断开；

控制模块，所述控制模块的两端分别耦合至所述主动开关元件的第二控制极以及所述电源正极，所述控制模块向所述主动开关元件的第二控制极提供控制信号。

2.如权利要求1所述的低边防反保护电路，其特征在于，还包括：

第一电阻，所述第一电阻的两端分别耦合至所述电源正极以及所述主动开关元件的第四极；

第一二极管，所述第一二极管的正极耦合至所述主动开关元件的第四极，所述第一二极管的负极耦合至接地端。

3.如权利要求1所述的低边防反保护电路，其特征在于，还包括：

第二电阻，所述防反开关元件的第一控制极通过所述第二电阻耦合至接地端。

4.如权利要求1所述的低边防反保护电路，其特征在于，所述控制模块包括：

驱动开关元件，包括第五极、第六极以及第三控制极，所述第五极和第六极分别耦合至所述主动开关元件的第二控制极和接地端，所述第三控制极控制所述第五极和第六极之间的联通与断开，所述第三控制极控制接受一驱动信号；

第三电阻，所述第三电阻的两端分别耦合至所述驱动开关元件的第五极以及所述主动开关元件的第四极。

5.如权利要求4所述的低边防反保护电路，其特征在于，所述驱动开关元件为N型MOS管或NPN型三极管。

6.如权利要求4所述的低边防反保护电路，其特征在于，所述控制模块还包括：

控制单元，所述控制单元的两端分别耦合至所述驱动开关元件的第三控制极以及所述电源的正极，所述控制单元向所述驱动开关元件的第三控制极提供驱动信号。

7.如权利要求6所述的低边防反保护电路，其特征在于，所述控制模块还包括：

采样单元，所述采样单元耦合至所述电源正极和接地端之间，所述采样单元向所述控制单元提供电源电压采样信号。

8.如权利要求7所述的低边防反保护电路，其特征在于，所述采样单元包括：

第五电阻，所述第五电阻的两端分别耦合至所述电源正极以及所述控制单元的一端；

第六电阻，所述第六电阻的两端分别耦合至所述控制单元的一端和接地端。

9.如权利要求1所述的低边防反保护电路，其特征在于，所述控制模块包括一定时器，所述控制模块根据所述定时器向所述主动开关元件的第二控制极提供控制信号。

10.如权利要求1至9任一项所述的低边防反保护电路，其特征在于，所述主动开关元件为P型MOS管或PNP型三极管。