[实用新型]一种功率可调节的低温自适应加热电路及智能门禁

权利要求书

1.一种功率可调节的低温自适应加热电路，其特征在于，包括：主控模块、温度检测模块、继电器控制电路、参考电压电路、比较器电路、放大电路、采样电路、MOS管控制电路和加热片电路，所述温度检测模块与所述主控模块电性连接，所述主控模块与所述继电器控制电路和比较器电路电性连接，所述参考电压电路与所述比较器电路连接，所述比较器电路分别与所述放大电路、MOS管控制电路电性连接，所述放大电路与所述采样电路电性连接，所述MOS管控制电路与所述加热片电路电性连接。

2.根据权利要求1所述的功率可调节的低温自适应加热电路，其特征在于，所述采样电路包括一采样电阻。

3.根据权利要求1所述的功率可调节的低温自适应加热电路，其特征在于，所述继电器控制电路包括：继电器、第一三极管、第二三极管。

4.根据权利要求1所述的功率可调节的低温自适应加热电路，其特征在于，所述参考电压电路包括一稳压芯片。

5.根据权利要求4所述的功率可调节的低温自适应加热电路，其特征在于，所述稳压芯片的型号为TL431。

6.根据权利要求1所述的功率可调节的低温自适应加热电路，其特征在于，所述MOS管控制电路包括一MOS管。

7.根据权利要求1所述的功率可调节的低温自适应加热电路，其特征在于，所述温度检测模块与所述主控模块电性连接，所述主控模块的PWM信号输出端与第三电阻一端电性连接，所述第三电阻另一端分别与第一电容一端、第一三极管的基极、第十二电阻的一端电性连接，所述第一三极管为NPN型三极管，所述第一三极管的发射极、第一电容的另一端均接地，所述第一三极管的集电极与第五电阻的一端电性连接，所述第五电阻的另一端分别与第四电阻的一端、第二三极管的基极电性连接，所述第二三极管为PNP型三极管，所述第四电阻的另一端、第二三极管的发射极均与+12V端电性连接，所述第二三极管的集电极分别与第一二极管的负极、继电器的线圈端的一端电性连接，所述继电器的线圈端的另一端、第一二极管的正极均接地，所述继电器的公共端与所述+12V端电性连接，所述继电器的常开端与VCC端电性连接，所述第十二电阻的另一端与第十电阻的一端电性连接，所述第十电阻的另一端分别与第十七电阻的一端、第十八电阻的一端、第十九电阻的一端电性连接，所述第十七电阻的另一端接地，所述第十八电阻的另一端分别与稳压芯片的第一端和第二端、第六电阻的一端电性连接，所述稳压芯片的第三端接地，所述第六电阻的另一端与所述VCC端电性连接，所述第十九电阻的另一端与运放芯片的第一同相输入端电性连接，所述运放芯片的电源端与所述VCC端电性连接，所述运放芯片的接地端接地，所述运放芯片的反相输入端与第十六电阻一端电性连接，所述第十六电阻另一端分别与第十五电阻一端、运放芯片的第二输出端电性连接，所述运放芯片的第二反相输入端分别与所述第十五电阻的另一端、第十四电阻的一端电性连接，所述第十四电阻的另一端分别与第一电阻的一端、MOS管的源极电性连接，所述运放芯片的第二同相输入端与第二电阻的一端电性连接，所述第一电阻的另一端、第二电阻的另一端均接地，所述MOS管的漏极与所述加热片电路的一端电性连接，所述加热片电路的另一端与所述VCC端电性连接，所述MOS管的栅极分别与第十三电阻的一端、第二二极管的正极电性连接，所述第二二极管的负极、第十三电阻的另一端均与所述运放芯片的第一输出端电性连接。

8.根据权利要求1所述的功率可调节的低温自适应加热电路，其特征在于，所述温度检测模块还包括湿度检测功能。

9.根据权利要求1或8所述的功率可调节的低温自适应加热电路，其特征在于，所述温度检测模块包括一温湿度检测单元，型号为HDC1080。

10.一种智能门禁，其特征在于，所述智能门禁包括如权利要求1至9任意一项所述的功率可调节的低温自适应加热电路。