[实用新型]一种可调谐太赫兹吸波器

权利要求书

1.一种可调谐太赫兹吸波器，其特征在于：从底部向上依次包括金属层(1)、掺杂硅层(2)、钛酸锶STO层(3)、石墨烯层(4)；所述掺杂硅层(2)、所述STO层(3)、所述石墨烯层(4)周期性排列在所述金属层(1)上，所述掺杂硅层(2)、所述STO层(3)、所述石墨烯层(4)排列周期小于入射波长。

2.根据权利要求1所述的可调谐太赫兹吸波器，其特征在于：所述金属层(1)采用蒸镀工艺镀到表面平整的电介质层上，然后利用薄膜沉积技术在所述金属层(1)上依次沉积所述掺杂硅层(2)和STO层(3)，最后利用光刻曝光技术来制造石墨烯图案并沉积所述石墨烯层(4)。

3.根据权利要求1所述的可调谐太赫兹吸波器，其特征在于：所述金属层(1)为完美电导体，所述金属层(1)在太赫兹波段的电导率大于10⁷S/m，厚度为200纳米；所述掺杂硅层(2)采用掺硼的p型硅，厚度为50微米；所述STO层(3)介电常数随温度变化，厚度为2微米。

4.根据权利要求1所述的可调谐太赫兹吸波器，其特征在于：所述石墨烯层(4)采用周期性排列的单层石墨烯。

5.根据权利要求1所述的可调谐太赫兹吸波器，其特征在于：所述石墨烯层(4)的形状为长方形，长方形的宽度为60微米，吸波器单元结构周期为80微米。

6.根据权利要求1所述的可调谐太赫兹吸波器，其特征在于：所述石墨烯层(4)的形状为正八边形，边长为40微米，吸波器单元结构周期为80微米。

7.根据权利要求1所述的可调谐太赫兹吸波器，其特征在于：吸波器结构工作波段为0.1～1THz。