[实用新型]晶体生长炉的底部冷却部件及晶体生长炉有效

专利信息
申请号: 202021259039.2 申请日: 2020-07-01
公开(公告)号: CN212865066U 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 王全志 申请(专利权)人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06
代理公司: 北京景闻知识产权代理有限公司 11742 代理人: 卢春燕
地址: 215000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 晶体生长 底部 冷却 部件
【权利要求书】:

1.一种晶体生长炉的底部冷却部件,其特征在于,包括:

底盘,所述底盘采用导热金属;和

冷却组件,所述冷却组件包括多个水冷管套,多个所述水冷管套固定在所述底盘的底端,多个所述水冷管套自所述底盘的中部向外依次分布且呈同心排布,每个所述水冷管套均具有进水口和出水口,多个水冷管套各自独立,每个所述水冷管套的流量和流速中的至少一个被构造成可调节。

2.根据权利要求1所述的晶体生长炉的底部冷却部件,其特征在于,每个所述水冷管套的进水口设有调节阀,所述调节阀用于控制所述水冷管道的流量和/或流速。

3.根据权利要求1所述的晶体生长炉的底部冷却部件,其特征在于,还包括控制阀组,多个所述水冷管套连接到同一个控制阀组。

4.根据权利要求3所述的晶体生长炉的底部冷却部件,其特征在于,所述控制阀组包括主流路以及多个支路,每个所述支路设有与相应水冷管套连接的流量控制阀。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的晶体生长炉的底部冷却部件,其特征在于,所述水冷管套的数量≥3,靠近内侧的相邻水冷管套之间的间隔大于靠近外侧的相邻水冷管套之间的间隔。

6.根据权利要求2-4中任一项所述的晶体生长炉的底部冷却部件,其特征在于,每个所述水冷管套均包括依次连接的第一至第四管段,第一管段与第三管段平行,第二管段与第四管段平行,第一管段与第二管段相互垂直,第四管段的尾端与第一管段的首端间隔开,所述进水口位于所述第一管段的首端,所述出水口位于第四管段的尾端。

7.根据权利要求6所述的晶体生长炉的底部冷却部件,其特征在于,各个水冷管套的管段布置位置相一致。

8.根据权利要求1所述的晶体生长炉的底部冷却部件,其特征在于,最内圈以及最外圈的所述水冷管套的内径小于夹在两者之间的水冷管套的内径。

9.一种晶体生长炉,其特征在于,包括:

炉体;

如权利要求1-8中任一项所述的晶体生长炉的底部冷却部件,所述底部冷却部件设于所述炉体的底部;以及

侧部冷却部件,所述侧部冷却部件位于所述炉体的侧部。

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