[实用新型]一种拉拔仪行程限位结构和拉拔仪有效
| 申请号： | 202021124410.4 | 申请日： | 2020-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN212512881U | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 张渤海;骈静娜;陈云飞 | 申请（专利权）人： | 北京零壹零软件技术有限公司 |
| 主分类号： | G01B7/00 | 分类号： | G01B7/00;G01B7/02;G01D5/14 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理有限公司 11368 | 代理人： | 孙国栋 |
| 地址： | 100096 北京市海淀区西*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 拉拔 行程 限位 结构 | ||
1.一种拉拔仪行程限位结构，安装在拉拔仪上，其特征在于，所述拉拔仪行程限位结构包括第一磁性传感器(31)、第二磁性传感器(32)、磁块(1)、磁环(6)和处理器，所述第一磁性传感器(31)安装在所述拉拔仪的上壳(2)的底部，所述第二磁性传感器(32)安装在所述拉拔仪的横梁(4)的底部，所述磁块(1)和所述磁环(6)分别固定在所述拉拔仪的丝杠(5)的顶部和底部，所述第一磁性传感器(31)和所述第二磁性传感器(32)型号相同，均连接处理器，并将开关信号反馈给处理器，所述处理器通过动作机构控制丝杠做出相应动作，实现对仪器行程上下限的保护。
2.根据权利要求1所述的拉拔仪行程限位结构，其特征在于，所述处理器为单片机。
3.根据权利要求1所述的拉拔仪行程限位结构，其特征在于，所述第一磁性传感器(31)的型号为ZTSM8L-S-TS长行程传感器。
4.一种拉拔仪，其特征在于，包括如权利要求1-3任一所述的拉拔仪行程限位结构。
5.一种拉拔仪行程限位结构，安装在拉拔仪上，其特征在于，所述拉拔仪行程限位结构包括第一磁性传感器(31)、第二磁性传感器(32)、磁块(1)、磁环(6)和处理器，所述磁块(1)安装在所述拉拔仪的上壳(2)的底部，所述磁环(6)安装在所述拉拔仪的横梁(4)的底部，所述第一磁性传感器(31)和所述第二磁性传感器(32)分别固定在所述拉拔仪的丝杠(5)的顶部和底部，所述第一磁性传感器(31)和所述第二磁性传感器(32)型号相同，均连接处理器，并将开关信号反馈给处理器，所述处理器通过动作机构控制丝杠做出相应动作，实现对仪器行程上下限的保护。
6.根据权利要求5所述的拉拔仪行程限位结构，其特征在于，所述处理器为单片机。
7.根据权利要求5所述的拉拔仪行程限位结构，其特征在于，所述第一磁性传感器(31)的型号为ZTSM8L-S-TS长行程传感器。
8.一种拉拔仪，其特征在于，包括如权利要求5-7任一所述的拉拔仪行程限位结构。
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