[实用新型]过欠压漏电保护插头

说明书

本实用涉及一种过欠压漏电保护插头，包括线圈、可控硅、漏电保护专用集成芯片、整流电路和剩余电流互感器，漏电保护专用集成芯片的触发器输入端连接积分电容，整流桥的直流输出端经第一电阻串分压、第一稳压管后接至积分电容的一端，过欠压漏电保护插头还包括PNP三极管，整流桥的直流输出端经第二电阻串分压后连接电压至PNP三极管的基极，整流桥的直流输出端还经第三电阻串、第二稳压管后输出稳定电压至PNP三极管的发射极，PNP三极管的集电极经二极管连接至漏电保护专用集成芯片的触发器输入端。将漏电、欠压、过压的检测电路统一连接至漏电保护专用集成芯片的触发输入端，三种保护动作均能触动可控硅导通实现电路保护，结构精简。

技术领域

本实用新型涉及一种过欠压漏电保护插头。

背景技术

传统的插头功能单一，仅具有电气连接的功能，如需增加过压、欠压保护功能，则需添加大量的元器件，包括专门的用于切断交流通路的继电保护装置，以及用于电压检测、比较、处理、输出电路。使得过欠压漏电保护插头的电路繁杂，体积增大。

发明内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种结构简单，将过压保护和欠压保护的输出电路并接至漏电保护专用集成芯片的触发器输入端，可以大大减少产品体积的过欠压漏电保护插头。

为了实现以上目的，本实用新型采用这样一种过欠压漏电保护插头，包括线圈、可控硅、漏电保护专用集成芯片、整流电路和剩余电流互感器，所述的整流电路包括整流桥，交流电的两端并接瞬态抑制管，所述的交流电还经线圈接入所述的整流桥的交流侧，所述的可控硅并接至所述的整流桥的直流侧，所述的漏电保护专用集成芯片的输出端接至所述的可控硅的触发端，所述的漏电保护专用集成芯片的触发器输入端连接积分电容，整流桥的直流输出端经第一电阻串分压、第一稳压管后接至积分电容的一端，所述的过欠压漏电保护插头还包括欠压检测电路，所述的欠压检测电路还包括PNP三极管，整流桥的直流输出端经第二电阻串分压后连接电压至PNP三极管的基极，所述的整流桥的直流输出端还经第三电阻串、第二稳压管后输出稳定电压至PNP三极管的发射极，所述的PNP三极管的集电极经二极管连接至所述的漏电保护专用集成芯片的触发器输入端。与现有技术相比，本发明创造的有益技术效果在于：第一电阻串、第一稳压管和积分电容形成过压检测电路，PNP三极管、第二电阻串、第三电阻串、第二稳压管、二极管组成了欠压检测电路，当交流电压过高时，整流桥的直流输出端电压相应地变高，积分电容两端的电压逐步上升，当升高至电路设置的过压参数时，漏电保护专用集成芯片的触发器输入端电压触动保护输出，使得可控硅导通，线圈吸合。当交流电压过低时，整流桥的直流输出端电压相应地变低，此时PNP三极管的基极低于设定的电压，PNP三极管导通输出控制信号至漏电保护专用集成芯片的触发器输入端，使得可控硅处于导通状态，而脱扣器的线圈吸合保护。将漏电、欠压、过压的检测电路统一连接至漏电保护专用集成芯片的触发输入端，三种保护动作均能触动可控硅导通实现电路保护，结构简单，电路精简。

特别的，所述的漏电保护专用集成芯片为AC型CMOS漏电保护专用集成电路。通过以上电路结构的设置，使得电路整理耗散功率低，输入灵敏度较为稳定，且可控硅的触发输出无需锁定，即使市电输入/输出反接或脱扣器卡死，也不会烧毁可控硅，提高了电路的可靠性。

特别的，所述的第一稳压管的稳压端和地之间并接第一滤波电容，所述的PNP三极管的基极和发射极之间并接第二滤波电容，所述的漏电保护专用集成芯片的两个剩余电流互感输入端并接第三滤波电容，其中的一个剩余电流互感器输入还经第四滤波电容接至地，所述的可控硅的触发端和地之间并接第五滤波电容。通过以上电路结构的设置，提高了电路的抗干扰性。

特别的，所述的整流桥的直流输出端经蓄能延时电路接至漏电保护专用集成芯片的电源输入端。通过以上电路结构的设置，使得漏电保护专用集成芯片的工作电源电压不易抖动，保证了漏电保护专用集成芯片能够正常、稳定地工作。