[实用新型]一种背硅刻蚀型剪切波滤波器有效
| 申请号： | 202020921635.6 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN213125989U | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市艾佛光通科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/64 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 毕晓萌 |
| 地址： | 510000 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 剪切 滤波器 | ||
【权利要求书】：
1.一种背硅刻蚀型剪切波滤波器，其特征在于，包括：硅衬底、压电材料层以及顶部电极，所述顶部电极采用石墨烯制成；所述压电材料层覆盖在所述硅衬底上，所述硅衬底设有多个凹槽，多个空气隙共用压电材料层，以使所述压电材料层位于所述凹槽处的下表面能够与空气接触，所述顶部电极设置在所述压电材料层的上表面。
2.如权利要求1所述的背硅刻蚀型剪切波滤波器，其特征在于，所述顶部电极为正负电极交替排列的叉指电极。
3.如权利要求2所述的背硅刻蚀型剪切波滤波器，其特征在于，所述顶部电极的石墨烯层数为1至100层。
4.如权利要求2所述的背硅刻蚀型剪切波滤波器，其特征在于，所述顶部电极的相邻叉指的间距为100nm至5μm；所述顶部电极的叉指的宽度为500nm至3μm，所述顶部电极的叉指的长度为48μm至300μm。
5.如权利要求1所述的背硅刻蚀型剪切波滤波器，其特征在于，所述压电材料层的厚度为100nm至5μm。
6.如权利要求5所述的背硅刻蚀型剪切波滤波器，其特征在于，所述压电材料层采用ZnO、PZT、AlN或铌酸锂制成。
7.如权利要求1所述的背硅刻蚀型剪切波滤波器，其特征在于，所述顶部电极表面沉积有氮化铝材料。
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