[实用新型]一种线性稳压电路有效
申请号: | 202020859892.1 | 申请日: | 2020-05-21 |
公开(公告)号: | CN212112265U | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 马彪;汪雪琴 | 申请(专利权)人: | 深圳市泛海数据科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 郭燕;彭家恩 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 线性 稳压 电路 | ||
本申请公开了一种线性稳压电路,包括自偏置带隙基准电路、功率输出电路和反馈电路。其中,功率输出电路用于响应自偏置带隙基准电路输出的驱动电压,按线性输出稳定电压,以作为线性稳压电路的输出。反馈电路用于将功率输出电路的电流采样电阻电压反馈给自偏置带隙基准电路。自偏置带隙基准电路用于产生与温度和电源Vcc电压相关性小的基准电压给功率输出电路,以作为功率输出电路的驱动电压,还用于基于反馈电路反馈的电流采样电阻电压动态稳定线性稳压电路的输出。由于在保证线性稳压电路的输出稳定的前提下省去了钳位误差放大器的使用,使得线性稳压电路的功耗更小,电路结构更简单。
技术领域
本申请涉及CMOS集成电路设计技术领域,具体涉及一种线性稳压电路。
背景技术
功率MOSFET是开关变换器中常用的功率器件,其损耗的大小对开关变换器的性能和效率有着直接的影响。功率MOSFET的损耗主要由开关损耗和导通损耗两部分组成。通常我们都会选用具有低导通电阻、高耐压值、高增益、低开关损耗,以及低栅极阈值电压等特性的功率MOSFET。但是对于需要工作在线性模式下的设备,如有源负载,上述原则就不太适用了。因为如果功率MOSFET的增益过高,考虑到其栅极阈值电压具有负温度系数,不施加负反馈环节很难使漏极电流保持恒定,甚至还可能造成功率MOSFET因热击穿而永久性损坏。在现有技术中,线性稳压电路的功率MOSFET由控制电路经驱动电路驱动,通过调整管子的驱动电压,调节功率管的导通电阻,从而达到稳压输出。一般会采用带隙基准电路产生基准电压,利用误差放大器进行钳位,最后输出级为功率管来得到所需的一定带载能力的输出信号,而这种线性稳压电路有以下缺陷:
1)静态功耗较大,整体电路的功耗包括带隙基准电路静态功耗、误差放大器的静态功耗以及输出级静态功耗。
2)线性稳压电路的结构组成模块较多,电路较复杂,且在不同负载情况下环路状态不同,需要进行复杂的环路分析与补偿电路设计。
发明内容
本申请提供一种线性稳压电路,解决现有技术中线性稳压电路存在的缺陷。
根据第一方面,一种实施例中提供一种线性稳压电路,包括:
包括自偏置带隙基准电路、功率输出电路和反馈电路;
所述功率输出电路包括驱动电压输入端、功率电压输出端和反馈电路连接端;所述驱动电压输入端与所述自偏置带隙基准电路连接,所述功率电压输出端用于作为所述线性稳压电路的输出端,所述反馈电路连接端与所述反馈电路连接;所述功率输出电路用于响应所述自偏置带隙基准电路输出的驱动电压,按线性输出稳定电压,以作为所述线性稳压电路的输出;
所述反馈电路包括功率输出电路连接端和带隙基准电路连接端;所述功率输出电路连接端与所述功率输出电路的反馈电路连接端连接,所述带隙基准电路连接端与所述自偏置带隙基准电路连接;所述反馈电路用于将所述功率输出电路的电流采样电阻电压反馈给所述自偏置带隙基准电路;
所述自偏置带隙基准电路包括第一电压输出端和第二电压输出端;所述第一电压输出端与所述功率输出电路的驱动电压输入端连接,所述第二电压输出端与所述反馈电路的带隙基准电路连接端连接;所述自偏置带隙基准电路用于产生与温度和电源Vcc电压相关性小的基准电压给所述功率输出电路,以作为所述功率输出电路的驱动电压;所述自偏置带隙基准电路还用于基于所述反馈电路反馈的所述电流采样电阻电压动态稳定所述线性稳压电路的输出。
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