[实用新型]一种半模基片集成波导双带滤波器有效
| 申请号： | 202020757572.5 | 申请日： | 2020-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN212257633U | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 张中华;夏铭;熊荆 | 申请（专利权）人： | 重庆安全技术职业学院 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 404020 重庆市万州区百*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半模基片 集成 波导 滤波器 | ||
1.一种半模基片集成波导双带滤波器，其特征在于：所述的双带滤波器包含顶层、介质基板层和底层金属地三层结构；
所述的顶层设有金属平面（1）和开路支线（9），金属平面（1）刻蚀互补开口谐振环（2），刻蚀U槽结构（3），刻蚀倒U槽结构（4），刻蚀电容谐振结构（5）；电容谐振结构（5）位于互补开口谐振环（2）内部，U槽结构（3）和倒U槽结构（4）是轴对称结构，互补开口谐振环（2）位于U槽结构（3）和倒U槽结构（4）构成的结构内；
所述的金属平面（1）通过一排金属化通孔（11）穿过介质基板层与底层接地金属地相连，微带馈电线与金属平面（1）利用金属渐变（10）连接；
所述的底层金属地刻蚀互补开口谐振环缺陷地（6），刻蚀U槽缺陷地结构（7），刻蚀倒U槽缺陷地结构（8）；U槽缺陷地结构（7）和倒U槽缺陷地结构（8）是轴对称结构，互补开口谐振环缺陷地（6）位于U槽缺陷地结构（7）和倒U槽缺陷地结构（8）构成的结构内。
2.根据权利要求1所述的一种半模基片集成波导双带滤波器，其特征在于：互补开口谐振环（2），U槽结构（3），倒U槽结构（4），电容谐振结构（5），互补开口谐振环缺陷地（6），U槽缺陷地结构（7），倒U槽缺陷地结构（8），开路支线（9）组成滤波器的主体结构，互补开口谐振环缺陷地（6）和开路支线（9）的中心线在一条直线上。
3.根据权利要求1所述的一种半模基片集成波导双带滤波器，其特征在于：互补开口谐振环（2）内刻蚀电容谐振结构（5），金属化过孔（5-2）穿过介质基板层与底层接地金属地相连；利用电容谐振结构（5）产生谐振频点，增加3dB带宽。
4.根据权利要求2所述的一种半模基片集成波导双带滤波器，其特征在于：主体结构级联两个构成双带滤波器，提高滤波器的选择性。
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