[实用新型]一种高耦合效率且低回损的光接收组件有效

专利信息
申请号: 202020722004.1 申请日: 2020-05-06
公开(公告)号: CN212460115U 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 周纪承;钟幸;许其建 申请(专利权)人: 武汉华工正源光子技术有限公司
主分类号: G02B6/42 分类号: G02B6/42
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 郑飞
地址: 430223 湖北省武汉市东湖高*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 耦合 效率 低回 接收 组件
【说明书】:

本实用新型属于光通信技术领域,具体提供了一种高耦合效率且低回损的光接收组件,包括光电二极管及适配器,所述光电二极管与所述适配器耦合,所述适配器包括第一陶瓷插芯、第二陶瓷插芯及竖直放置的金属基座,所述第一陶瓷插芯及第二陶瓷插芯依次内嵌于所述金属基座内,且所述第一陶瓷插芯及第二陶瓷插芯依次位于光的出射路径上,金属基座内设有上台阶孔及下台阶孔,所述上台阶孔的孔径与所述下台阶孔的孔径偏心设置,且所述第一陶瓷插芯内嵌于所述上台阶孔内,所述第二陶瓷插芯内嵌于所述下台阶孔内。通过对光接收组件的适配器结构进行新设计,既纠正了APC面出现倾斜影响耦合效率的问题,也增大了反射光的反射角度,改善了回波损耗。

技术领域

本实用新型属于光通信技术领域,具体涉及一种高耦合效率且低回损的光接收组件。

背景技术

随着5G通信网络的发展建设,推动对高速率、大容量、高性能的光模块的需求。光通信领域采用PIN探测器作为信号接收机,随着传输速率的提高,PIN的有效光接收面积会越来越小,加大了探测器的耦合难度,同时性能要求也在提高,需要提高探测器耦合效率,同时要降低回波损耗。采用常规的技术手段已经无法完全解决耦合效率和回波损耗的问题。

因此设计一种具有高耦合效率、低回损的光接收组件势在必行,以克服上述问题。

发明内容

本实用新型的目的是克服现有技术中传统光接收组件回波损耗高的问题。

为此,本实用新型提供了一种高耦合效率且低回损的光接收组件,包括光电二极管及适配器,所述光电二极管与所述适配器耦合,所述适配器包括第一陶瓷插芯、第二陶瓷插芯及竖直放置的金属基座,所述第一陶瓷插芯及第二陶瓷插芯依次内嵌于所述金属基座内,且所述第一陶瓷插芯及第二陶瓷插芯依次位于光的出射路径上,金属基座内设有上台阶孔及下台阶孔,所述上台阶孔的孔径与所述下台阶孔的孔径偏心设置,且所述第一陶瓷插芯内嵌于所述上台阶孔内,所述第二陶瓷插芯内嵌于所述下台阶孔内。

优选地,所述第一陶瓷插芯为PC-PC陶瓷插芯,所述第二陶瓷插芯为PC-APC陶瓷插芯。

优选地,所述PC-APC陶瓷插芯与所述PC-PC陶瓷插芯抵靠的光入射面为倾斜面,所述倾斜面的水平倾角为3.7°。

优选地,所述PC-APC陶瓷插芯的光出射面与所述PC-APC的PC竖直面的夹角为82°。

优选地,所述PC-APC陶瓷插芯的APC面与所述下台阶孔的孔径偏心方向一致。

优选地,上台阶孔的孔径与所述下台阶孔的孔径偏心为0.1mm。

优选地,所述光电二极管为PD-T0,所述PD-T0位于所述第二陶瓷插芯的出射光路上。

优选地,所述组件还包括陶瓷套筒及金属压盖,所述陶瓷套筒内嵌于所述第一陶瓷插芯及所述上台阶孔之间,所述金属压盖密封于所述金属基座的上端部。

本实用新型的有益效果:本实用新型提供的这种高耦合效率且低回损的光接收组件,包括光电二极管及适配器,所述光电二极管与所述适配器耦合,所述适配器包括第一陶瓷插芯、第二陶瓷插芯及竖直放置的金属基座,所述第一陶瓷插芯及第二陶瓷插芯依次内嵌于所述金属基座内,且所述第一陶瓷插芯及第二陶瓷插芯依次位于光的出射路径上,金属基座内设有上台阶孔及下台阶孔,所述上台阶孔的孔径与所述下台阶孔的孔径偏心设置,且所述第一陶瓷插芯内嵌于所述上台阶孔内,所述第二陶瓷插芯内嵌于所述下台阶孔内。通过对光接收组件的适配器结构进行新设计,既纠正了APC面出现倾斜影响耦合效率的问题,也增大了反射光的反射角度,改善了回波损耗。

以下将结合附图对本实用新型做进一步详细说明。

附图说明

图1是本实用新型高耦合效率且低回损的光接收组件的爆炸结构示意图;

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