[实用新型]一种AI护肤仪的斜向设置的红外感应结构

权利要求书

1.一种AI护肤仪的斜向设置的红外感应结构，其特征在于，所述红外感应结构包括壳体、支架、TX发射红外管、RX接收红外管和控制板；

所述支架设置于壳体内，所述支架设有并排设置的TX发射红外管、RX接收红外管；所述TX发射红外管、RX接收红外管斜向设置，且所述TX发射红外管、RX接收红外管的延长线夹角为65～80°；

所述TX发射红外管、RX接收红外管通过导线与控制板连接；其中，所述控制板包括发射端电路、接收端电路和单片机；所述发射端电路与TX发射红外管连接，接收端电路与RX接收红外管连接；所述单片机与发射端电路、接收端电路连接；

所述发射端电路配置为驱动所述TX发射红外管发射红外线信号；所述接收端电路配置为接收所述RX接收红外管接收的反射红外线信号，并发送电平信号至单片机。

2.根据权利要求1所述的红外感应结构，其特征在于，所述TX发射红外管、RX接收红外管的延长线夹角为75°。

3.根据权利要求1所述的红外感应结构，其特征在于，所述发射端电路包括三极管Q3、限流电阻R71、下拉电阻R72；所述TX发射红外管阴极接3.3V电源，阳极接三极管Q3的集电极，三极管Q3基极接限流电阻R71和下拉电阻R72，三极管Q3发射极接地；

所述限流电阻R71配置为接收来自单片机的激励信号，所述激励信号经过三极管Q3信号放大后驱动TX发射红外管发射相应的红外线信号。

4.根据权利要求3所述的红外感应结构，其特征在于，所述单片机的激励信号为38KHz矩形波激励信号；所述矩形波激励信号经过三极管Q3信号放大后驱动TX发射红外管发射相应38KHz红外线信号。

5.根据权利要求1所述的红外感应结构，其特征在于，所述接收端电路包括双运算放大器U5，电阻R37、R38、R40、R41、R43、R44、R45，限流电阻R39，电容器C42，耦合电容器C44、C45，滤波电容C46，以及二极管D2；

所述双运算放大器U5包括第一运算放大器U5A和第二运算放大器U5B；

所述第一运算放大器U5A配置为接收RX接收红外管的反射红外线信号，并输出放大信号至第二运算放大器U5B，由第二运算放大器U5B放大后的信号通过二极管D2整流输出后，经滤波电容C46滤波后得到直流电压电平信号，再经过限流电阻R39输出电平信号至单片机；

其中，所述电阻R41、电阻R43组成第一运算放大器U5A的偏置电路，用于选择滤掉小信号和干扰信号；

电阻R38和电容器C42组成第一运算放大器U5A的反馈电路，电阻R38用于设置运算放大器的放大倍数，电容器C42用于反馈抑制运算放大器高频自激；

所述电阻R44和R45组成第二运算放大器U5B的增益调整电路。

6.根据权利要求5所述的红外感应结构，其特征在于，所述RX接收红外管的阳极分别接电阻R40、耦合电容器C44；电阻R40另一端接红外线电源IRVCC，所述电阻R40配置为向RX接收红外管提供偏置电流，以供所述RX接收红外管接收红外线信号转换用；所述耦合电容器C44的另一端接第一运算放大器U5A的反相输入端第一运算放大器U5A的输出端接耦合电容器C45，耦合电容器C45另一端接第二运算放大器U5B的同相输入端；第一运算放大器U5A的同相输入端分别接电阻R41、R43，电阻R41另一端接红外线电源IRVCC，电阻R43另一端接地；

所述电容器C42和电阻R38并联后一端第一运算放大器U5A的反相输入端，另一端接第一运算放大器U5A的输出端；

电阻R37一端接第二运算放大器U5B的同相输入端，另一端输出PWM信号至单片机；电阻R45一端接第二运算放大器U5B的反相输入端，另一端接地；电阻R44两端分别接第二运算放大器U5B的反相输入端和输出端；所述滤波电容C46一端接二极管D2的阴极，另一端接地；

所述第二运算放大器U5B的输出端接二极管D2阳极，二极管D2阴极接限流电阻R39，限流电阻R39另一端输出电平信号至单片机。