[实用新型]一种智能光衰减接收装置及光模块有效

专利信息
申请号: 202020459567.6 申请日: 2020-04-01
公开(公告)号: CN211378031U 公开(公告)日: 2020-08-28
发明(设计)人: 苏樊城 申请(专利权)人: 昂纳信息技术(深圳)有限公司
主分类号: H04B10/60 分类号: H04B10/60;G02B6/42
代理公司: 深圳市道臻知识产权代理有限公司 44360 代理人: 陈嘉琪
地址: 518000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 智能 衰减 接收 装置 模块
【权利要求书】:

1.一种智能光衰减接收装置,包括接收器和光电探测器,其特征在于:还包括分束器、光吸收器、光电二极管、负载电阻和MOS管,所述接收器、分束器、光吸收器和光电探测器依次设置,所述光吸收器的两电极分别与电源端和MOS管的漏极或源极连接,所述MOS管的源极或漏极接地,其栅极与负载电阻连接,所述负载电阻和光电二极管构成通电回路;

其中,从接收器接收的光信号经过分束器分光,一束光经过光吸收器入射至光电探测器,另一束光入射至光电二极管处,所述光电二极管在通电回路中产生电流并使负载电阻产生电压,所述MOS管在负载电阻的电压大于开启电压时导通,并使光吸收器工作以衰减光信号。

2.根据权利要求1所述的智能光衰减接收装置,其特征在于:所述光电探测器为雪崩光电二极管。

3.根据权利要求1所述的智能光衰减接收装置,其特征在于:所述分束器分束成占比为98%-99%的主光路和占比为1%-2%的副光路,所述主光路入射至经过光吸收器入射至光电探测器,所述副光路入射至光电二极管。

4.根据权利要求1所述的智能光衰减接收装置,其特征在于:所述MOS管为NMOS管;所述NMOS管为高速响应NMOS管。

5.根据权利要求1或4所述的智能光衰减接收装置,其特征在于:所述MOS管的栅极还并联一稳压二极管,所述稳压二极管的另一端接地。

6.根据权利要求1所述的智能光衰减接收装置,其特征在于:所述光电二极管的阳极与负载电阻连接,其阴极与电源端连接,所述负载电阻的另一端接地,所述光电二极管与负载电阻之间的节点与MOS管的栅极连接。

7.根据权利要求1所述的智能光衰减接收装置,其特征在于:所述光吸收器的阳极与MOS管的漏极或源极连接,其阴极与电源端连接。

8.一种光模块,其特征在于:包括如权利要求1-7任一所述的智能光衰减接收装置和壳体,所述智能光衰减接收装置的功能模块均封装在壳体中,所述壳体上设有引脚。

9.根据权利要求8所述的光模块,其特征在于:所述引脚包括与智能光衰减接收装置的电源端连接的电源引脚和接地引脚。

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