[实用新型]一种激光器

说明书

本申请实施例提供一种激光器，所述激光器包括：波导型耦合器，所述波导型耦合器的一端设置有抗反膜；波导结构，所述波导结构的一端连接所述波导型耦合器的另一端，所述波导结构的另一端设置有高反膜。本申请实现了有效降低高功率激光器的腔面光功率密度。

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种激光器。

背景技术

半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的激光器，具有小巧、高效、寿命长、易于集成等诸多优点，因而被广泛应用于成像、通信、机械加工等领域，制造出高功率、高光束质量、窄线宽的半导体激光器一直是人们追求的目标。

要实现高效率的单模光纤耦合，需要制备高功率输出的单基横模激光器，但为了保证稳定的基横模工作，半导体激光器的发光条宽必须足够窄，而较窄的发光条宽又极大的限制了光输出功率，并且会导致出射腔面处的光功率密度极高，进而容易发生光学灾变镜面损伤。

实用新型内容

本申请实施例的目的在于提供一种激光器，用以实现有效降低高功率激光器的腔面光功率密度。

本申请实施例第一方面提供了一种激光器，包括：波导型耦合器，所述波导型耦合器的一端设置有抗反膜；波导结构，所述波导结构的一端连接所述波导型耦合器的另一端，所述波导结构的另一端设置有高反膜。

于一实施例中，激光器还包括：直波导，设置在所述波导结构和所述波导型耦合器之间。

于一实施例中，所述波导型耦合器没有设置所述抗反膜的一端为梯形输入口。

于一实施例中，所述梯形输入口的侧边倾斜角度范围为1°至45°。

于一实施例中，所述直波导为脊型结构，所述直波导的脊条宽度范围为2μm至10μm。

于一实施例中，所述直波导的长度范围为0μm至500μm。

于一实施例中，所述波导型耦合器的宽度大于所述直波导的宽度。

于一实施例中，所述波导结构为脊型结构，所述波导结构的宽度沿靠近所述高反膜的方向逐渐增大。

于一实施例中，所述波导型耦合器的长度范围为0.6L'至L'，其中，L'为所述波导型耦合器的输入口到第一个自映像的距离。

于一实施例中，所述波导型耦合器的中心轴线和所述波导结构的中心轴线重合设置。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请一实施例的激光器的结构示意图；

图2为本申请一实施例的激光器的结构示意图；

图3为本申请一实施例的波导结构的部分结构示意图；

图4为本申请一实施例的波导结构的部分结构示意图；

图5为本申请一实施例的波导结构的部分结构示意图；

图6为本申请一实施例的波导型耦合器的部分结构示意图；

图7为本申请一实施例的光场强度分布等高线图；

图8为本申请一实施例的光场强度分布等高线图。

附图标记：

10-激光器，11-波导型耦合器，12-抗反膜，13-波导结构，14-高反膜，15-直波导，16-沟槽，17-第一个自映像。