[实用新型]一种载具在陶瓷盘上的成型装置

说明书

本实用新型公开了一种载具在陶瓷盘上的成型装置，包括底座，所述底座的上端中央加装有大理石平台，大理石平台的两侧分别固定安装有左定位平台和右定位平台，并在底座的上端固定安装有左导轨和右导轨，左导轨和右导轨的上端设置有起重台架，起重台架的两侧端均安装有滑轮，起重台架左侧的滑轮安装在左导轨上，起重台架右侧的滑轮安装在右导轨上。本载具在陶瓷盘上的成型装置，通过涂覆工艺使载具直接在陶瓷盘上成型，减去了粘贴载具的工序，减少了因粘贴载具可能的风险，同时能改善抛光后TTV，并且能有效延长载具使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及晶体加工技术领域，具体为一种载具在陶瓷盘上的成型装置。

背景技术

碳化硅(SiC)作为三代半导体材料的运用因其具有宽禁带，高击穿场，大热导率，电子饱和漂移速度高，抗辐射强和良好化学稳定性的优越性质，成为新一代微电子器件和电路的关键半导体材料。SiC晶体材料在制作大功率微波器件、耐高温器件方面具有显著的优势，是电子信息、节能减排、国防建设等产业中的关键基础材料。同时SiC与制作大功率微波、电力电子、光电器件的重要材料GaN之间具有非常好的匹配度，是SiC成为新一代宽带半导体器件的重要衬底材料。在实际应用中，要求SiC晶片表面超光滑、无缺陷、无损伤，表面粗糙度值达纳米级以下，其表面加工的质量和精度的优劣，直接影响器件的质量和性能。

SiC衬底晶片的加工包括晶棒的线切、研磨、倒角、退火、贴蜡、铜抛、抛光等制程。经过线切后晶片表面会留下较大的损伤层和残留应力，需要通过研磨、退火、铜抛、抛光等制程；逐步进行修复。抛光作为加工段的最终制程，主要用途是去除铜抛后晶片表面的损伤层与表面刮伤以实现晶片全局平坦化表面超光滑无损伤纳米级表面。抛光是通过在陶瓷盘表面粘贴载具来实现对晶片的夹持固定，而粘贴载具这一工序会引发较多问题点：粘贴位置不当导致载具位置偏移，可能导致载具报废、晶片斜盘飞片等；粘贴手法不当产生气泡会导致晶片TTV数据上升并有甩片风险。同时粘贴载具使用寿命短，平均寿命仅有530min。基于上述缺陷，提出一种载具在陶瓷盘上的成型装置。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种载具在陶瓷盘上的成型装置，涂覆工艺使载具直接在陶瓷盘上成型，减去了粘贴载具的工序，延长了载具的使用，解决了现有技术中粘贴位置不当导致载具位置偏移，粘贴载具使用寿命短的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种载具在陶瓷盘上的成型装置，包括底座，所述底座的上端中央加装有大理石平台，大理石平台的两侧分别固定安装有左定位平台和右定位平台，并在底座的上端固定安装有左导轨和右导轨，左导轨和右导轨的上端设置有起重台架，起重台架的两侧端均安装有滑轮，起重台架左侧的滑轮安装在左导轨上，起重台架右侧的滑轮安装在右导轨上；所述起重台架的下端中央固定安装有载具材料承接架，载具材料承接架的内侧放置载具材料；所述底座的侧端固定安装有气缸，气缸的输出端设有推送杆，推送杆一端与气缸的输出端固定连接，推送杆的另一端与起重台架的侧端固定连接；所述底座的上端安装有气囊安装架，气囊安装架的上端安装有气压缸，并在气囊安装架的下端安装玻璃钢保持架，气压缸的输出端加装有气囊，气囊装配在玻璃钢保持架内，并位于起重台架的正上端；所述大理石平台的下开设有废液槽。

优选的，所述载具材料承接架的内侧放置的载具的材质为聚合物材料。

优选的，所述起重台架的移速为14mm/s。

优选的，所述载具材料承接架的内侧放置的载具材料的涂覆厚度为 300～600μm。

优选的，所述玻璃钢保持架的外径为355mm。

优选的，所述大理石平台的宽度小于废液槽的宽度，大理石平台位于废液槽的正上端。

优选的，所述左定位平台和右定位平台的中心线与大理石平台的上端面平齐。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：