[实用新型]一种连续式真空扩散炉

说明书

本实用新型提供一种连续式真空扩散炉，包括上料部分和反应炉部分，所述真空扩散炉至少包括两个反应炉，每个反应炉对应一套上料部分，至少两个反应炉呈上下或左右并排排列；每个反应炉和上料部分均能够独立工作，实现连续生产。本实用新型能够实现炉体的真空密封以及连续化生产，通过对扩散炉结构的合理设计，提升工艺有序性，提高扩散炉的产量。

技术领域

本实用新型涉及真空扩散炉。

背景技术

半导体或光伏材料广泛应用于电子、新能源等行业，半导体和光伏材料通常都需要经过加工处理才能够应用到产品上，CVD技术、扩散工艺或氧化工艺是现有的一些处理方式。

扩散炉作为半导体器件工艺设备的重要设备之一，广泛应用于集成电路、电力电子、太阳能电池的生产等行业，在光伏行业，高温扩散炉主要用于对单晶硅片、多晶硅片进行掺杂，形成PN结。随着光伏行业的发展，人们一直在追求产能的提升。而在制作工艺过程中，会有许多热处理的工序，如热氧化、化学气相沉积(CVD)、热扩散、金属合金化、杂质激活、介质膜致密化等。这些热处理工艺对温度非常敏感，尤其是在半导体器件的制备中，温度是影响硅晶成膜均匀性及生长速度的关键参数。

低压扩散炉是扩散炉的一种，对于某些扩散工艺来讲，在初始状态下，需要保证炉腔内的真空度，在物料送入炉体之后，再通入反应气体，实现化学反应和分子沉积成膜，成膜以后可以通过加热进行高温扩散，从而实现半导体或光伏原材料表面掺杂的功能，通过这种方式可以进行半导体或光伏材料的表面加工。现有技术中的炉体通常是立式的，一台设备通常配备一个炉体，这种方式下，如果要提高单个炉体的产量，就必须要扩大炉体容量，但是炉体容量的扩大规模有限，而且单个炉体在上下料和传送的过程中会耗费很多时间，从流程上来说也不利于效率的提高。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种连续式真空扩散炉，能够实现炉体的真空密封以及连续化生产，通过对扩散炉结构的合理设计，提升工艺有序性，提高扩散炉的产量。

本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案是：

一种连续式真空扩散炉，包括上料部分和反应炉部分，

上料部分包括上料机架和搬舟机构，所述搬舟机构包括搬舟机架，搬舟机架上设有升降机构和平移机构，搬舟机构还包括炉门固定件，炉门固定件用于固定托舟的桨和炉门，升降机构和平移机构能够带动炉门固定件上下或前后移动，炉门固定件的上下移动能够改变桨上物料的位置，从而卸料或装料，炉门固定件的前后移动能够推动桨和炉门的前后移动，从而将桨送入反应炉中或从反应炉中退出；反应炉部分包括反应炉机架和反应炉，反应炉呈卧式安装在反应炉机架上，反应炉的开口部朝向搬舟机构，炉管的尾部设有气体输送装置；

所述真空扩散炉至少包括两个反应炉，每个反应炉对应一套上料部分，至少两个反应炉呈上下或左右并排排列；每个反应炉和上料部分均能够独立工作，实现连续生产。

进一步地，反应炉机架上设有反应炉的安装部位，反应炉的安装部位包括位于反应炉机架两端的方形框架，方形框架之间上固定设有横放的反应炉支撑板，反应炉支撑板的上表面的两侧设有两根反应炉固定架，反应炉能够被架在反应炉固定架之间；

所述反应炉机架上还设有水冷装置，所述水冷装置包括水冷机柜，水冷机柜的两侧设有固定支脚，固定支脚伸出于水冷机柜之外，每个固定支脚的外端均设有安装孔，水冷机柜具有一定的厚度，水冷机柜内设有第一冷却水管道，第一冷却水管道包括水冷盘管，水冷盘管上连接有第一进水管道和第一出水管道，第一进水管道和第一出水管道从反应炉机架上靠近炉口的这一端伸出，第一进水管道和第一出水管道上设有弯折部位且进出管道的弯折方向相同，第一进水管道和第一出水管道的外侧分别设有三面包围的防护板。