[发明专利]一种晶圆测试探针卡状态异常处理方法在审
申请号: | 202011638400.7 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112798998A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 李成霞 | 申请(专利权)人: | 杭州广立微电子股份有限公司 |
主分类号: | G01R35/00 | 分类号: | G01R35/00 |
代理公司: | 江苏坤象律师事务所 32393 | 代理人: | 赵新民 |
地址: | 310012 浙江省杭州市西*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 测试 探针 状态 异常 处理 方法 | ||
本发明提供了一种晶圆测试探针卡状态异常处理方法,包括选定测试计划与待测晶圆,读取探针卡信息,将探针卡状态文件复制放入本地目录;更新当前机台探针卡状态信息到服务器上的探针卡状态文件中;判断所述服务器上的探针卡状态文件更新是否成功,若成功则直接继续;若不成功,则测试系统发出警报,判断是否继续执行测试流程,若继续执行,则将当前机台探针卡状态信息更新至本地文件;测试结束后,更新本地探针卡状态文件至服务器。能够对一些细节错误的异常进行特殊处理,不需要使测试中途停止,并将异常信息实时反馈给用户,缩短了测试时间,有利于提高测试效率。
技术领域
本发明属于半导体器件测试技术领域,具体涉及一种晶圆测试中探针卡状态异常处理的方法。
背景技术
WAT(Wafer Acceptance Test晶圆允收测试)是半导体硅片在完成所有制程工艺后,采用测试机与探针台配合完成对Wafer划片槽(Scribe Line)测试(Test Key)所进行的电性测试,通过电性参数来监控各步工艺是否正常和稳定。通过对WAT数据的分析,可以发现半导体制程工艺中的问题,帮助指导半导体制程工艺进行调整,以实现更高的成品率。
随着集成电路的快速发展,WAT测试过程中的测试数量越来越多,需要的测试时间长,而在测试过程中难免会出一些异常及错误,例如软件内容泄露导致软件卡死、文件读写错误、测试机软件与硬件模块交互过程中的错误等,这些异常影响了整个测试流程的顺利进行。对一些致命的错误必须要测试机重新开启测试流程,但对一些细节错误或一些不太紧急的细小异常,其实并不影响整个测试流程运行及测试结果,例如由于权限问题导致写入某些文件失败,但文件写入失败不影响整个测试流程运行。如果因为一些细节错误或一些小异常而导致整个测试重新进行,则会耗费大量的人工成本和时间成本,大大降低了测试效率。此外针对还有一些异常情况,例如某些非正常原因导致了测试结果不正确时,需要等到当前批次的晶圆测试完成后才能知道测试结果是否正确,再使该次测试无效,也浪费了人工成本与时间成本,因此需要对一些特殊异常细节进行处理的方法,以提高晶圆的测试效率,并能够实现快速定位问题。
发明内容
本发明是基于上述现有技术的部分和/或全部问题而进行的,目的在于提供一种晶圆测试探针卡状态异常处理方法,对一些细节错误的异常进行特殊处理,不需要使测试中途停止,并将异常信息实时反馈给用户。
本发明提供一种晶圆测试探针卡状态异常处理方法,包括步骤S1.选定测试计划与待测晶圆,读取探针卡信息,将探针卡状态文件复制,将复制的探针卡状态文件放入本地目录;步骤S2.更新当前机台探针卡状态信息到服务器上的探针卡状态文件中;步骤S3.判断所述服务器上的探针卡状态文件更新是否成功,若成功则直接继续步骤S4;若不成功,则测试系统发出警报,先判断是否继续执行测试流程,若不继续执行测试流程,则终止测试;若继续执行,则继续步骤S4;步骤S4是:将当前机台探针卡状态信息更新至本地文件,继续执行测试流程,直到测试结束。正常情况下,上述方法在结束后还包括步骤S5:测试结束后,更新本地探针卡状态文件至服务器。本发明中所述晶圆可以是一片完整或部分完整的载有芯片或器件的各种基片。探针卡中一般内置有RFID芯片,此时,读取探针卡信息就是指读取探针卡RFID内部存储的信息。本申请以读取探针卡RFID信息为例来说明,并不代表本申请的目的仅限定应用于RFID场景。
其中读取探针卡RFID信息过程中,读取RFID信息若失败,选择是否重试,若否,则终止测试并发出警报,若是,则校准探针卡位置,重新进行RFID信息读取。可以对重试次数设定阈值,重试超过规定的阈值后提醒更换探针卡。为了考虑效率,一般阈值设为3次。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州广立微电子股份有限公司,未经杭州广立微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011638400.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。