[发明专利]成膜装置和成膜方法

说明书

本发明提供成膜装置和成膜方法。该成膜装置包括：靶保持件，其以靶朝向基板且靶沿水平面内的预定的方向延伸的方式在正面保持靶；磁体单元，其具有通过排列磁体而构成的磁体排列体，设于靶保持件的背面侧；一对遮蔽构件，其在被靶保持件保持的靶与基板之间以自靶朝向基板延伸的方式设置；和移动机构，其使磁体单元以在被靶保持件保持的靶的预定的方向上的一端与另一端之间进行往复运动的方式移动，磁体单元以磁体排列体沿着预定的方向并列的方式设有一对，遮蔽构件分别在俯视时设于在磁体单元进行往复运动的期间内一对磁体排列体中的仅一者通过的第1区域与在磁体单元进行往复运动的期间内一对磁体排列体中的两者通过的第2区域之间的边界线上。

技术领域

本公开涉及成膜装置和成膜方法。

背景技术

在专利文献1中公开有一种具备溅射室、磁控阴极以及以能够送入送出的方式设于溅射室内的基板保持件的溅射装置。在该溅射装置中，磁控阴极包括：靶，其与基板保持件相对且分开地设置，该靶为在矩形的纵长方向上的两端部附加椭圆的弧状的突起部而成的形状；以及磁体单元构造体，其与靶的背面侧相对且分开地设置。另外，磁体单元构造体包括安装构件和安装于安装构件的多个磁体单元，且与使其在靶的纵长方向上往复运动的运动机构连结。而且，磁体单元中的安装于安装构件的两端部的磁体单元包括：磁轭，其以与相对于靶的侵蚀区域对应的方式设定，该磁轭的至少局部呈椭圆的弧状；外周磁体，其沿着磁轭的外周设置；以及中心磁体，其设于磁轭的中心部附近，该中心磁体与该外周磁体极性相反。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003－293130号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开的技术在利用磁控溅射在基板上形成膜的情况下防止在基板周缘部产生溅射粒子的覆盖量的偏差。

用于解决问题的方案

本公开的一技术方案为一种成膜装置，其利用磁控溅射在基板上形成膜，其中，该成膜装置包括：靶保持件，其以靶朝向作为成膜对象的基板且靶沿水平面内的预定的方向延伸的方式在正面保持该靶；磁体单元，其具有通过排列磁体而构成的磁体排列体，并且设于所述靶保持件的背面侧；一对遮蔽构件，其在被所述靶保持件保持着的所述靶与所述作为成膜对象的基板之间以自该靶朝向该作为成膜对象的基板延伸的方式设置；以及移动机构，其使所述磁体单元以在被所述靶保持件保持着的所述靶的所述预定的方向上的一端与另一端之间进行往复运动的方式移动，所述磁体单元以所述磁体排列体沿着所述预定的方向并列的方式设有一对所述磁体排列体，所述遮蔽构件分别在俯视时设于在所述磁体单元进行所述往复运动的期间内所述一对所述磁体排列体中的仅一者通过的第1区域与在所述磁体单元进行所述往复运动的期间内所述一对所述磁体排列体中的两者通过的第2区域之间的边界线上。

发明的效果

根据本公开，能够在利用磁控溅射在基板上形成膜的情况下防止在基板周缘部产生溅射粒子的覆盖量的偏差。

附图说明

图1是用于说明磁体排列体的一个例子的立体图。

图2是用于说明以往技术的问题的图。

图3是用于说明以往技术的问题的图。

图4是示意性地表示了本实施方式的成膜装置的结构的概略的纵剖视图。

图5是概略地表示磁体单元的剖视图。

图6是用于说明遮蔽构件的图，是仅表示处理容器内的主要部分的图。