[发明专利]一种超疏水辐射降温薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种超疏水辐射降温薄膜的制备方法，其特征在于，包括：配制聚偏氟乙烯/聚二甲基硅氧烷复合溶液，向所得聚偏氟乙烯/聚二甲基硅氧烷复合溶液中加入非溶剂，通过非溶剂诱导所得聚偏氟乙烯/聚二甲基硅氧烷复合溶液发生相分离，制得相分离溶胶液；将所得相分离溶胶液浇铸后进行干燥处理，制得具有微纳双阶多孔结构的超疏水辐射降温薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种超疏水辐射降温薄膜的制备方法，其特征在于，聚偏氟乙烯/聚二甲基硅氧烷复合溶液的制备，具体包括以下操作：

将聚偏氟乙烯溶解于丙酮/N,N-二甲基甲酰胺混合溶液中，得到溶液A；将聚二甲基硅氧烷预聚体和固化剂溶解于乙酸乙酯中，得到溶液B；将所得溶液B逐滴加入所得溶液A中，得到聚偏氟乙烯/聚二甲基硅氧烷复合溶液。

3.根据权利要求2所述的一种超疏水辐射降温薄膜的制备方法，其特征在于，聚偏氟乙烯和丙酮/N,N-二甲基甲酰胺混合溶液的质量比为2:(18～38)。

4.根据权利要求2所述的一种超疏水辐射降温薄膜的制备方法，其特征在于，聚二甲基硅氧烷预聚体和乙酸乙酯的质量比为(0.5～2.5):10。

5.根据权利要求2所述的一种超疏水辐射降温薄膜的制备方法，其特征在于，聚偏氟乙烯和聚二甲基硅氧烷预聚体的质量比为2.0:(0.5～2.5)。

6.根据权利要求1所述的一种超疏水辐射降温薄膜的制备方法，其特征在于，非溶剂为水。

7.根据权利要求1所述的一种超疏水辐射降温薄膜的制备方法，其特征在于，聚偏氟乙烯和非溶剂的质量比为2.0:(0.5～2.5)。

8.根据权利要求1所述的一种超疏水辐射降温薄膜的制备方法，其特征在于，干燥处理的干燥温度为30～40℃。

9.采用权利要求1～8任意一项所述制备方法制得的一种超疏水辐射降温薄膜。

10.根据权利要求9所述的一种超疏水辐射降温薄膜，其特征在于，所述超疏水辐射降温薄膜具有微纳双阶多孔结构，所述超疏水辐射降温薄膜对太阳光反射率为89.5％～97.0％，所述超疏水辐射降温薄膜的中红外发射率为90.5％～96.0％，所述超疏水辐射降温薄膜表面与水滴的接触角为150.8°～160.2°，所述超疏水辐射降温薄膜表面与水滴的滚动角为2.3°～6.2°。