[发明专利]高性能电磁屏蔽NdB6 有效
| 申请号： | 202011583226.0 | 申请日： | 2021-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN112573925B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 吴事江;林杨;杨盼盼;赵金明;张合军;李拯;杨焕顺 | 申请（专利权）人： | 山东合创明业精细陶瓷有限公司;淄博星澳新材料研究院有限公司;山东亿莱盛新材料科技有限公司;淄博启明星新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/645 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 耿霞 |
| 地址： | 255000 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 性能 电磁 屏蔽 ndb base sub | ||
1.一种高性能电磁屏蔽NdB6/SiO2复相陶瓷材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）合成六硼化钕粉体：将三氧化二钕和碳化硼采用湿法混合后，进行真空干燥，然后通过高温硼碳热还原反应，合成六硼化钕粉体；
（2）制备NdB6/SiO2复相陶瓷：将六硼化钕和二氧化硅粉末采用湿法混合后，进行真空干燥，然后经高温热压烧结，制得高性能电磁屏蔽NdB6/SiO2复相陶瓷材料；
步骤（1）中，三氧化二钕和碳化硼的摩尔比为Nd2O3:B4C=1:3.1-3.4；
步骤（1）中，三氧化二钕的纯度≥99.9wt%，粒度为1-5μm；碳化硼的纯度≥98wt%，粒度为50-70μm；
步骤（1）中，高温硼碳热还原反应的气氛为真空，真空度为0.001-1Pa，反应温度为1400-1700℃，升温速率为10-20℃/min，反应时间为1-4h；
步骤（2）中，高温热压烧结的条件为：烧结温度1400-1650℃，压力20-30MPa，保温时间0.5-2h；
步骤（1）和步骤（2）中，真空干燥温度均为25-50℃，干燥时间均为8-48h；
步骤（2）中，以重量比计，NdB6/SiO2复相陶瓷的成分组成为NdB6:SiO2=85-98:15-2。
2.根据权利要求1所述的高性能电磁屏蔽NdB6/SiO2复相陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤（1）和步骤（2）中，湿法混合条件均为：以玛瑙球和无水乙醇为混合介质，转速为80-150r/min，混合时间为8-24h。
3.一种根据权利要求1或2所述的制备方法制备得到的高性能电磁屏蔽NdB6/SiO2复相陶瓷材料。
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