[发明专利]用于反应器系统的过滤器系统在审
申请号: | 202011578984.3 | 申请日: | 2020-12-28 |
公开(公告)号: | CN113069849A | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | A.基姆蒂;R.兰 | 申请(专利权)人: | ASMIP私人控股有限公司 |
主分类号: | B01D46/12 | 分类号: | B01D46/12;B01D46/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 反应器 系统 过滤器 | ||
一种反应器系统的过滤器系统可以包括:包括外壁的过滤器容器;设置在过滤器容器中的过滤器板;以及设置在过滤器板上的过滤器。过滤器板可以包括:第一板面和第二板面,其中板体跨越第一板面与第二板面之间;第一板孔,所述第一板孔穿过跨越第一板面与第二板面之间的板体设置;和/或从第一板表面突出的板孔边沿。板孔边沿可以设置在限定第一板孔的板孔边缘处或附近,并且/或者至少部分地围绕第一板孔。第一过滤器可以设置在第一板面上,并且第一过滤器可以与板孔边沿接合,使得板孔边沿将第一过滤器定位在期望的位置。
技术领域
本公开大体上涉及半导体处理或反应器系统以及其中包括的部件,并且具体地涉及防止污染其它部件的反应器系统部件。
背景技术
可使用反应室将各种材料层沉积到半导体衬底上。半导体可放置在反应室内的基座上。可将衬底和基座两者都加热到所需的衬底温度设定点。在实例衬底处理工艺中,可使一种或多种反应气体越过被加热的衬底,从而致使材料薄膜沉积在衬底表面上。在整个后续沉积、掺杂、光刻、蚀刻和其它工艺期间,将这些层制成为集成电路。
对于任何给定的工艺,反应气体和/或任何副产物气体然后可以经由真空抽空和/或从反应室中清除。反应气体以及来自反应室的其它气体或材料可穿过过滤器系统,其中反应气体或其它材料(例如反应产物和/或副产物)被捕获以防止污染过滤器系统下游的反应器系统部件。然而,来自过滤器系统的材料在某些条件下可能脱气,这可能引起反应室或设置在其中的衬底的污染。
发明内容
提供此概述是为了以简化的形式引入一系列概念。下文在本公开的示例实施例的详细描述中更详细地描述这些概念。本概述并非打算标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征,也并非打算用于限制所要求保护的主题的范围。
在一些实施例中,提供了一种用于反应器系统的过滤器系统。本文公开的过滤器系统可允许从反应器系统的反应室收集材料,以减少或防止过滤器系统下游的反应器系统部件的污染。本文公开的过滤器系统还可减少或防止可能的污染物行进到且污染反应室或设置在其中的衬底。
在各种实施例中,用于反应器系统的过滤器系统可包括:包括外壁的过滤器容器;设置在过滤器容器中的过滤器板;以及设置在过滤器板上的过滤器。过滤器板可以包括:第一板面和第二板面,其中板体跨越第一板面与第二板面之间;第一板孔,所述第一板孔穿过跨越第一板面与第二板面之间的板体设置;和/或从第一板表面突出的板孔边沿。板孔边沿可以设置在限定第一板孔的板孔边缘处或附近,并且/或者至少部分地围绕第一板孔。第一过滤器可以设置在第一板面上,并且第一过滤器可以与板孔边沿接合,使得板孔边沿将第一过滤器定位在期望的位置。在各种实施例中,外壁可包括从外壁延伸到过滤器容器的内部空间中的至少一个突出部,过滤器容器的内部空间包括第一过滤器。
在各种实施例中,第一过滤器可包括穿过第一过滤器的长度的至少一部分的过滤器开孔,其中过滤器开孔可与第一板孔流体连通。在各种实施例中,过滤器开孔可以穿过过滤器第一端设置,过滤器第一端与过滤器第二端相对。在各种实施例中,板孔边沿的形状可以与过滤器第一端处的过滤器开孔的形状互补。过滤器第一端可接触第一板面,使得板孔边沿设置于过滤器开孔内。
在各种实施例中,第一过滤器可包括围绕过滤器开孔且跨越过滤器第一端与过滤器第二端之间的过滤材料,其中过滤器第一端可包括设置于其上的第一过滤器端盖,且过滤器第二端可包括设置于其上的第二过滤器端盖。第一过滤器端盖和/或第二过滤器端盖可以联接到跨越第一过滤器端盖与第二过滤器端盖之间的支承杆,其中支承杆可以与第一过滤器端盖和/或第二过滤器端盖成整体或成一体。
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