[发明专利]晶圆平整度的测量方法有效

专利信息
申请号: 202011567675.6 申请日: 2020-12-25
公开(公告)号: CN112880597B 公开(公告)日: 2022-12-27
发明(设计)人: 曾安 申请(专利权)人: 南京力安半导体有限公司
主分类号: G01B11/30 分类号: G01B11/30;G01B11/16;G01B11/24;G01B11/06
代理公司: 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 代理人: 秦卫中
地址: 210000 江苏省南京市江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 平整 测量方法
【权利要求书】:

1.一种晶圆平整度的测量方法,其特征在于,包括:

利用气浮卡盘提供的吸力调整晶圆的背面,以使所述晶圆的背面变平或使所述晶圆的背面与所述气浮卡盘的顶部表面相匹配,所述晶圆的背面为所述晶圆靠近所述气浮卡盘的表面;

利用所述气浮卡盘提供的支撑力将所述晶圆悬浮在所述气浮卡盘的顶部表面上方预定距离D处,所述气浮卡盘包括交替的真空喷嘴和压力喷嘴,交替的所述真空喷嘴和所述压力喷嘴布置成同心环的、轴对称的结构;

利用干涉仪测量所述晶圆与标准镜的相对表面之间的第一距离变化ΔS1,所述干涉仪位于所述标准镜远离所述气浮卡盘的一侧,其中,所述气浮卡盘的顶部表面与所述晶圆的正面能够反光,所述晶圆的正面为所述晶圆远离所述气浮卡盘的表面;

根据第二距离变化ΔS2和所述ΔS1获得所述晶圆的平整度TTV1,其中,所述ΔS2为在所述晶圆未装载时利用所述干涉仪测量的所述气浮卡盘与所述标准镜的相对表面之间的第二距离变化,所述晶圆的平整度为所述晶圆的总厚度变化。

2.根据权利要求1所述的晶圆平整度的测量方法,其特征在于,所述预定距离D为0μm-50μm。

3.根据权利要求2所述的晶圆平整度的测量方法,其特征在于,所述预定距离D为5μm-30μm。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的晶圆平整度的测量方法,其特征在于,还包括:

获取所述晶圆的背面与所述气浮卡盘的顶部表面之间的不匹配项SN.C.

其中,所述根据第二距离变化ΔS2和所述ΔS1获得所述晶圆的平整度TTV1,包括:

通过将所述ΔS2减去所述ΔS1以及所述SN.C.获得所述晶圆的平整度TTV1

5.根据权利要求4所述的晶圆平整度的测量方法,其特征在于,所述获取所述晶圆的背面与所述气浮卡盘的顶部表面之间的不匹配项SN.C.,包括:

将已知平整度为TTV0的标准晶圆放置在所述气浮卡盘上;

利用所述干涉仪测量所述标准晶圆与所述标准镜的相对表面之间的距离变化ΔS0

通过将所述ΔS2减去所述ΔS0以及所述TTV0获得所述不匹配项SN.C.

6.根据权利要求5所述的晶圆平整度的测量方法,其特征在于,所述将已知平整度为TTV0的标准晶圆放置在所述气浮卡盘上,包括:

将已知平整度为TTV0的所述标准晶圆搁置在所述气浮卡盘上;或

利用所述气浮卡盘提供的支撑力将已知平整度为TTV0的所述标准晶圆悬浮在所述气浮卡盘上方。

7.根据权利要求4所述的晶圆平整度的测量方法,其特征在于,还包括:

利用温度、气浮高度FH对所述不匹配项SN.C.进行校正。

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