[发明专利]一种基于全控整流和全桥LLC谐振电路的熔喷布驻极电源在审

专利信息
申请号: 202011560090.1 申请日: 2020-12-25
公开(公告)号: CN112737374A 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 张雷;郑一专;吴典;崔瑾;周玲玲;姚子豪;任磊;杨德健 申请(专利权)人: 南通大学
主分类号: H02M7/219 分类号: H02M7/219;H02M3/335;H02M7/5387;H02M1/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 226019 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 整流 llc 谐振 电路 熔喷布驻极 电源
【权利要求书】:

1.一种基于全控整流和全桥LLC谐振电路的熔喷布驻极电源,其特征在于,包括交流电源(va)、滤波电感(L)、全控整流电路、滤波电容(C)、全控逆变电路、谐振电感(Lr)、谐振电感(Cr)和高压包;所述交流电源(va)与全控整流电路的输入端连接,所述全控整流电路的输出端与全控逆变电路的输入端连接,且全控整流电路与全控逆变电路之间并联有滤波电容(C),所述全控逆变电路的输出端依次与谐振电感(Lr)和谐振电感(Cr)串联并与高压包的输入侧连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于全控整流和全桥LLC谐振电路的熔喷布驻极电源,其特征在于,所述全控整流电路由第一MOSFET(M1)、第二MOSFET(M2)、第三MOSFET(M3)和第四MOSFET(M4)构成;所述第一MOSFET(M1)和第二MOSFET(M2)串联构成全控整流电路中的一个半桥,所述第一MOSFET(M1)和第二MOSFET(M2)的中点与滤波电感L串联并与交流电源va的一端连接;所述第三MOSFET(M3)和第四MOSFET(M4)串联构成全控整流电路中的另一个半桥,所述第三MOSFET(M3)和第四MOSFET(M4)的中点与交流电源(va)的另一端连接。

3.根据权利要求1所述的一种基于全控整流和全桥LLC谐振电路的熔喷布驻极电源,其特征在于,所述全控逆变电路由第五MOSFET(M5)、第六MOSFET(M6)、第七MOSFET(M7)和第八MOSFET(M8)构成;所述第五MOSFET(M5)和第六MOSFET(M6)串联构成全控逆变电路中的一个半桥,所述第五MOSFET(M5)和第六MOSFET(M6)的中点依次与谐振电感(Lr)和谐振电感(Cr)串联并与高压包输入侧的一端连接;所述第七MOSFET(M7)和第八MOSFET(M8)串联构成全控逆变电路中的另一个半桥,所述第七MOSFET(M7)和第八MOSFET(M8)的中点与高压包输入侧的另一端连接。

4.根据权利要求2所述的一种基于全控整流和全桥LLC谐振电路的熔喷布驻极电源,其特征在于,所述全控整流电路的整流过程如下:

所述第一MOSFET(M1)、第四MOSFET(M4)与第二MOSFET(M2)、第三MOSFET(M3)交替导通,电感电流流过第一MOSFET(M1)、第二MOSFET(M2)、第三MOSFET(M3)和第四MOSFET(M4)对滤波电容(C)进行充电或放电,从而改变直流输出的电压值。

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