[发明专利]一种基于氧化石墨烯的二维pH智能响应膜及其制备方法在审
申请号: | 202011483574.0 | 申请日: | 2020-12-16 |
公开(公告)号: | CN112717718A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 冉瑾;李静远;陈家林;龙庆垚;李嘉豪;杨平峰;吴玉莹 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | B01D69/12 | 分类号: | B01D69/12;B01D69/02;B01D67/00;B01D71/44 |
代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人: | 卢敏 |
地址: | 230009 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 氧化 石墨 二维 ph 智能 响应 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于氧化石墨烯的二维pH智能响应膜,其特征在于:通过在氧化石墨烯纳米片的分散液中加入4-乙烯基吡啶,在引发剂偶氮二异丁腈AIBN的作用下进行自由基聚合反应,并将聚合后的膜液沉积在多孔基底上,即得到所述基于氧化石墨烯的二维pH智能响应膜。
2.一种权利要求1所述的基于氧化石墨烯的二维pH智能响应膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、将氧化石墨烯纳米片加入有机溶剂中,超声分散均匀,获得氧化石墨烯纳米片的分散液;
步骤2、在所述分散液中依次加入4-乙烯基吡啶和引发剂AIBN,并搅拌均匀,获得混合反应液;
步骤3、在N2气保护下,对所述混合反应液进行加热反应,获得膜液;
步骤4、将所述膜液通过纳米片组装技术负载在多孔基底上,烘干去除溶剂,即得到基于氧化石墨烯的二维pH智能响应膜。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:氧化石墨烯纳米片与4-乙烯基吡啶的质量比为1:0.1-100,AIBN与4-乙烯基吡啶的质量比为0.01-0.5:1。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:步骤1中,所述有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮或二甲基亚砜中的一种。
5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:步骤1中,所述分散液中氧化石墨烯的浓度为0.01-1mg/mL。
6.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:步骤1中,超声温度为20-50℃,超声时间为1-5h。
7.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:步骤3中,所述加热反应的温度为60-95℃、反应时间为2-8h。
8.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:步骤4中,所述多孔基底为尼龙膜、聚醚砜膜、聚偏氟乙烯膜、聚碳酸酯膜、阳极氧化铝膜和聚丙烯腈膜中的一种,且所述多孔基底的孔径为50-450nm。
9.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:步骤4中,所述纳米片组装技术是指能够将纳米片负载于多孔载体的技术,为真空抽滤、旋转涂覆、喷涂或蒸发干燥。
10.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:步骤4中,所述烘干是在40-70℃下干燥10-20h。
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