[发明专利]一种窄线宽垂直腔面发射激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种窄线宽垂直腔面发射激光器的制备方法，所述窄线宽垂直腔面发射激光器包括光栅微腔和垂直腔面发射激光器，所述光栅微腔生长在所述垂直腔面发射激光器的谐振腔之上，且所述光栅微腔和所述谐振腔相互耦合，所述光栅微腔由下至上依次包括光栅基底层、光栅间隔层和光栅层，所述光栅间隔层的厚度可调，其特征在于，包括：

对垂直腔面发射激光器的上DBR和氧化限制层进行光刻和刻蚀，获取台面；

对所述台面进行氧化，所述氧化限制层由外向内变为绝缘的物质，通过控制氧化深度，在所述台面的中心处留下未被氧化、且导通的氧化层；

在上DBR的表面生长一层SiO₂，并通过光刻和刻蚀，刻蚀掉中心一部分SiO₂；

在上DBR的表面生长一层Ti/Au，并通过光刻和刻蚀，刻蚀掉中心一部分；

在衬底背面生长一层AuGeNi/Au；

在上DBR的表面生长SiO₂、HfO₂和MgF，分别作为所述光栅基底层、所述光栅间隔层和所述光栅层。

2.根据权利要求1所述的窄线宽垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，还包括：利用电子束曝光结合刻蚀工艺，对所述光栅层进行刻蚀。

3.根据权利要求1所述的窄线宽垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器通过如下方式获得：

在GaAs衬底上进行外延生长，从下向上依次生长第一数值对Al_0.2Ga_0.8As/Al_0.9Ga_0.1As，作为下DBR；

从下向上依次生长第二数值对Al_0.28Ga_0.72As/Al_0.12In_0.18Ga_0.7As，作为有源区；

生长Al_0.5Ga_0.5As作为间隔层；

生长Al_0.98Ga_0.02As作为氧化限制层；

生长第三数值对Al_0.2Ga_0.8As/Al_0.9Ga_0.1As，作为所述上DBR。