[发明专利]一种含冷却孔道的陶瓷基复合材料制备方法在审
| 申请号： | 202011361049.1 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112358315A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 刘传歆;陈博;李晓强;魏祥庚 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C04B38/04 | 分类号： | C04B38/04;C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 冷却 孔道 陶瓷 复合材料 制备 方法 | ||
1.一种含冷却孔道的陶瓷基复合材料制备方法，其特征在于通过预置孔道得到具有设计冷却孔道结构的陶瓷基复合材料，步骤如下：
步骤1：采用能够化学去除的成孔纤维对碳纤维预制体进行缝合或穿刺，得到具有指定形状的碳纤维/成孔纤维复合预制体；
步骤2：采用CVI工艺在碳纤维/成孔纤维复合预制体上进行热解碳界面相和SiC基体沉积及致密化，获得C/SiC复合材料；
所述CVI法制备热解碳界面相的工艺：利用丙烯作为有机前驱体，沉积炉内总气压为1～5kPa，在750-950℃温度范围内沉积热解碳，沉积时间为10～50h；
所述CVI法制备SiC基体的工艺：利用MTS即CH3SiCl3作为有机前驱体，氢气作为载气和稀释气体，氩气作为保护气体；沉积炉内总气压为1～5kPa，在900-1200℃温度范围内沉积SiC，沉积时间为50～300h；
步骤3：打磨C/SiC复合材料使成孔纤维暴露，然后采用化学方法去除成孔纤维，得到含冷却孔道的C/SiC复合材料。
2.根据权利要求1所述含冷却孔道的陶瓷基复合材料制备方法，其特征在于：所述能够化学去除的成孔纤维包括但不限于钨丝、钼丝或玻璃丝。
3.根据权利要求1所述含冷却孔道的陶瓷基复合材料制备方法，其特征在于：所述成孔纤维的直径在0.05mm～0.5mm之间。
4.根据权利要求1所述含冷却孔道的陶瓷基复合材料制备方法，其特征在于：所述步骤2的MTS与H2的摩尔混合比为1:5～20。
5.根据权利要求1所述含冷却孔道的陶瓷基复合材料制备方法，其特征在于：所述化学方法包括但不限于酸洗。
6.根据权利要求5所述含冷却孔道的陶瓷基复合材料制备方法，其特征在于：所述酸洗为采用氢氟酸和硝酸的混合酸酸洗去除钨丝。
7.根据权利要求5所述含冷却孔道的陶瓷基复合材料制备方法，其特征在于：所述酸洗为采用王水酸洗去除钼丝。
8.根据权利要求5所述含冷却孔道的陶瓷基复合材料制备方法，其特征在于：所述酸洗为采用氢氟酸酸洗去除玻璃丝。
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