[发明专利]人工晶体的清洗方法在审

专利信息
申请号: 202011360188.2 申请日: 2020-11-27
公开(公告)号: CN114558840A 公开(公告)日: 2022-05-31
发明(设计)人: 汤晓璐;裴元虎;雷虹 申请(专利权)人: 上海富吉医疗科技有限公司
主分类号: B08B3/12 分类号: B08B3/12;B08B3/04;B08B13/00;A61F2/16
代理公司: 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 代理人: 杨楷;毛立群
地址: 200331 上海市普*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 人工 晶体 清洗 方法
【权利要求书】:

1.一种人工晶体的清洗方法,其特征在于,包括:

准备步骤:提供上部开口的清洗槽以盛装液状的清洗介质,将所述人工晶体固定设置于所述清洗槽内以浸泡于所述清洗介质中;

清洗步骤:对所述清洗槽施加超声震动来清洗所述人工晶体,

在所述清洗步骤中,将所述清洗介质维持在特定的温度从而使所述人工晶体处于硬化状态。

2.如权利要求1所述的人工晶体的清洗方法,其特征在于,

在所述清洗步骤中采用溢流的方式进行清洗。

3.如权利要求2所述的人工晶体的清洗方法,其特征在于,

所述清洗步骤还包括:

第一超声清洗步骤,以第一清洗频率来清洗所述人工晶体;

第二超声清洗步骤,在所述第一超声清洗步骤之后,以第二清洗频率来清洗所述人工晶体,

所述第一清洗频率小于所述第二清洗频率。

4.如权利要求3所述的人工晶体的清洗方法,其特征在于,

所述第一超声清洗步骤进行10-15分钟,

所述第二超声清洗步骤进行10-15分钟。

5.如权利要求3所述的人工晶体的清洗方法,其特征在于,

所述溢流的方式为,在所述清洗步骤中,从所述清洗槽的上部开口向所述清洗槽的底部持续引入流动的所述清洗介质,使所述清洗槽中的所述清洗介质不断增加并最终从所述清洗槽的上部开口溢出。

6.如权利要求1-5任一项所述的人工晶体的清洗方法,其特征在于,

在所述清洗步骤中,所述清洗介质的温度维持在低于11.5℃且高于所述清洗介质的冰点的范围内。

7.如权利要求1-5任一项所述的人工晶体的清洗方法,其特征在于,

所述人工晶体被固定于距所述清洗槽的底部1/3高度的位置。

8.如权利要求1-5任一项所述的人工晶体的清洗方法,其特征在于,

所述清洗介质为选自超纯水、三蒸水、离子水中的任一种。

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