[发明专利]有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物

权利要求书

1.一种有机膜形成用材料，是有机膜形成时使用的材料，其特征为含有具有下列通式(1)表示的重复单元的聚合物、及有机溶剂；

该通式(1)中，AR1、AR2为也可以有取代基的苯环或萘环；W₁为不具有芳香环的碳数2～20的2价有机基团，构成有机基团的亚甲基也可取代为氧原子或羰基；W₂为至少具有1个以上的芳香环的碳数6～80的2价有机基团。

2.根据权利要求1所述的有机膜形成用材料，其中，该通式(1)中的W₂表示的2价有机基团为下列中的任一者；

3.根据权利要求1或2所述的有机膜形成用材料，其中，该聚合物的重均分子量为500～5000。

4.根据权利要求1或2所述的有机膜形成用材料，更含有酸产生剂。

5.根据权利要求1或2所述的有机膜形成用材料，更含有表面活性剂、塑化剂、及除该聚合物以外的具有芳香环作为部分结构的化合物中的1种以上。

6.一种图案形成方法，其特征为：

于被加工体上使用根据权利要求1至5中任一项所述的有机膜形成用材料来形成有机膜，于该有机膜上使用含硅的抗蚀剂下层膜材料来形成含硅的抗蚀剂下层膜，于该含硅的抗蚀剂下层膜上使用光致抗蚀剂组成物来形成抗蚀剂上层膜，于该抗蚀剂上层膜形成电路图案，将该形成有图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜并利用蚀刻将图案转印于该含硅的抗蚀剂下层膜，将该转印有图案的含硅的抗蚀剂下层膜作为掩膜并利用蚀刻将图案转印于该有机膜，进一步将该转印有图案的有机膜作为掩膜并利用蚀刻将图案形成于该被加工体。

7.一种图案形成方法，其特征为：

于被加工体上使用根据权利要求1至5中任一项所述的有机膜形成用材料来形成有机膜，于该有机膜上使用含硅的抗蚀剂下层膜材料来形成含硅的抗蚀剂下层膜，于该含硅的抗蚀剂下层膜上形成有机抗反射膜，于该有机抗反射膜上使用光致抗蚀剂组成物来形成抗蚀剂上层膜，而制成4层膜结构，于该抗蚀剂上层膜形成电路图案，将该形成有图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜并利用蚀刻将图案转印于该有机抗反射膜与该含硅的抗蚀剂下层膜，将该转印有图案的含硅的抗蚀剂下层膜作为掩膜并利用蚀刻将图案转印于该有机膜，进一步将该转印有图案的有机膜作为掩膜并利用蚀刻将图案形成于该被加工体。

8.一种图案形成方法，其特征为：

于被加工体上使用根据权利要求1至5中任一项所述的有机膜形成用材料来形成有机膜，于该有机膜上形成选自硅氧化膜、硅氮化膜、硅氧化氮化膜的无机硬掩膜，于该无机硬掩膜上使用光致抗蚀剂组成物来形成抗蚀剂上层膜，于该抗蚀剂上层膜形成电路图案，将该形成有图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜并利用蚀刻将图案转印于该无机硬掩膜，将该转印有图案的无机硬掩膜作为掩膜并利用蚀刻将图案转印于该有机膜，进一步将该转印有图案的有机膜作为掩膜并利用蚀刻将图案形成于该被加工体。

9.一种图案形成方法，其特征为：

于被加工体上使用根据权利要求1至5中任一项所述的有机膜形成用材料来形成有机膜，于该有机膜上形成选自硅氧化膜、硅氮化膜、硅氧化氮化膜的无机硬掩膜，于该无机硬掩膜上形成有机抗反射膜，于该有机抗反射膜上使用光致抗蚀剂组成物来形成抗蚀剂上层膜，而制成4层膜结构，于该抗蚀剂上层膜形成电路图案，将该形成有图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜并利用蚀刻将图案转印于该有机抗反射膜与该无机硬掩膜，将该转印有图案的无机硬掩膜作为掩膜并利用蚀刻将图案转印于该有机膜，进一步将该转印有图案的有机膜作为掩膜并利用蚀刻将图案形成于该被加工体。

10.根据权利要求8或9所述的图案形成方法，其中，利用CVD法或ALD法来形成该无机硬掩膜。