[发明专利]一种DC-DC自举电源的欠压保护电路有效

专利信息
申请号: 202011348756.7 申请日: 2020-11-26
公开(公告)号: CN112436488B 公开(公告)日: 2023-05-16
发明(设计)人: 邵元超;耿玮生;曹昭祺 申请(专利权)人: 广州金升阳科技有限公司
主分类号: H02H7/12 分类号: H02H7/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 510670 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 dc 电源 保护 电路
【说明书】:

发明公开了一种DC‑DC自举电源的欠压保护电路,由欠压检测电路、尖峰控制电路、下拉电路组成,采用DC‑DC系统时钟的N分频信号CLK_NT作为尖峰控制电路的时钟信号,当自举电源欠压时,在自举电源电压达到欠压保护的恢复阈值期间,使下拉电路处于周期性间歇工作模式,即在每N个CLK周期内,下拉电路仅在一个CLK周期内导通固定时间,实现对自举电容的充电,而每N个CLK周期内的剩余时间内,上侧开关管在系统环路控制下正常导通和关闭。这样在大占空比、甚至100%占空比条件下出现自举电源欠压时,该自举电源的欠压保护电路在实现对自举电容充电的同时,仍使上侧开关管有足够的时间导通,可实现自举电源欠压释放后,DC‑DC输出电压不会出现较大“尖峰”。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域,特别涉及一种用于DC-DC转换器的自举电源欠压保护电路。

背景技术

随着集成电路技术和电子技术的快速发展和不断创新,高效率的开关电源芯片,尤其DC-DC转换器芯片在越来越多的电子设备中得到应用。由于迁移率的不同,为了实现相同的驱动能力,所需PMOS器件的面积远大于NMOS器件。为了降低芯片的成本,在DC-DC转换器芯片中越来越多的上侧开关管采用NMOS器件,尤其在电源电压较高的芯片中更是如此。根据NMOS器件的应用特点,需要一个比源端更高电源电压作为的栅极的驱动,当NMOS器件导通后源极电压等于漏端,而漏端电压一般为输入电源电压,此时就需要自举电路产生栅极所需的驱动电压。由于开关损耗的存在,可能会出现自举电源电压逐渐减小的情况,需要针对自举电源进行欠压保护。为保证上侧开关管良好的导通性,当自举电源欠压时,上侧开关管关闭,需对自举电路中的自举电容进行充电,但在大占空比的情况下,由于自举电容充电时间较短,需要多次充电,这样DC-DC输出电压持续降低,当欠压释放后,输出电压可出现较大“尖峰”现象。

图1是传统的自举电源欠压保护框图。逻辑控制电路根据DC-DC芯片的需要为驱动信号提供控制信号;电平转换电路将控制信号的电源域由低压转化为高压;驱动电路根据控制信号为上侧开关管(NMOS)的正常导通和关闭提供驱动;线性稳压器、二极管D1、电容C1构成自举电路,即自举电源电压为电容C1两端的压降(BS-SW)。自举电源的欠压保护电路由欠压检测电路和下拉电路组成,其中欠压检测电路用于检测自举电源电压是否低于阈值,当自举电源欠压时,上侧开关管关闭,下拉电路对SW端进行下拉。

当SW为低电平时,线性稳压器给自举电容C1充电,当SW由低电平转换为高电平时,根据电容两端的电压不能突变特性,则BS端电压高于电源电压VIN,作为驱动电路的电源,可使上侧开关管充分导通,而二极管D1的作用为防止电流反灌。但是,当自举电容的充电电荷小于放电电荷时,自举电源会逐渐降低,这时需要欠压保护电路的作用,关闭上侧开关管,直至欠压释放,从而保证上侧开关管良好的导通性能。

在此结构中,当自举电源欠压时,关闭上侧开关管,线性稳压器为自举电容充电,直至自举电源电压达到要求,才允许上侧开关管开通。但在大占空比条件下,自举电容充电时间较短,需要多次充电,此时DC-DC输出电压一直下降,当欠压释放时,在整体系统环路的作用下,DC-DC输出电压出现“尖峰”。如果输出电压“尖峰”较大,这时有可能会损坏DC-DC后端系统,或者系统功能异常。

发明内容

有鉴于此,本发明提供一种用于DC-DC转换器的自举电源欠压保护电路,目的是在大占空比甚至100%占空比条件下,当自举电源欠压释放时,避免DC-DC输出电压出现较大“尖峰”,以保证系统的正常使用。

本发明提供的技术方案如下:

一种DC-DC自举电源的欠压保护电路,包括欠压检测电路和下拉电路,其特征在于:还包括尖峰控制电路,采用DC-DC系统时钟的N分频信号CLK_NT作为尖峰控制电路的时钟信号,当自举电源欠压时,在自举电源电压达到欠压保护的恢复阈值期间,使下拉电路处于周期性间歇工作模式,即在每N个CLK周期内,下拉电路仅在一个CLK周期内工作固定时间,实现对自举电容的充电,而每N个CLK周期内的剩余时间内,下拉电路不工作,上侧开关管在系统环路控制下正常导通和关闭。

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