[发明专利]一种用于废气净化导管中的结块清除装置及其使用方法有效

专利信息
申请号: 202011347390.1 申请日: 2020-11-26
公开(公告)号: CN112588740B 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 王成林;杨少康 申请(专利权)人: 瑞燃(上海)环境工程技术有限公司
主分类号: B08B9/049 分类号: B08B9/049;B08B13/00;B01D53/04
代理公司: 北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265 代理人: 余莹
地址: 200000 上海市浦东新区中国(上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 废气 净化 导管 中的 结块 清除 装置 及其 使用方法
【说明书】:

发明公开了一种用于废气净化导管中的结块清除装置,包括氧化室、进气组件和引风机,所述氧气室内安装有过滤器,所述过滤器内部安装有气管,所述气管穿过所述氧气室向上通向氧气室外部,所述气管上端安装有所述引风机,所述气管一侧的所述氧气室上安装有清除装置,所述清除装置包括控制器、切换阀、气缸和导杆,所述控制器与所述切换阀连接,所述切换阀与所述气缸连接,所述气缸上设置有导杆,所述导杆上连接有挡板,所述导杆安装于进气装置内,所述进气装置包括立管和进气管,立管一侧设置有进气孔,所述进气孔与所述进气管成夹角固定连接,本发明通过清除装置刮除附着在管壁上的由工艺尾气氧化后生成的颗粒物,防止工艺尾气管路入口处的堵塞。

技术领域

本发明涉及电子半导体加工技术领域,属于芯片制造相关装备,特别是涉及一种用于芯片制造工艺废气净化导管中的结块清除装置及其使用方法。

背景技术

在芯片制造、封装测试等电子半导体行业的制造工艺过程中,例如气相化学沉积(CVD)、磊晶(Epitaxy)、半导体化合物(Compound Semiconductor)等工艺。会有大量的容易自燃的工艺气体产生。该类工艺气体中,典型的如硅烷,硼烷,三甲基铝等,其与空气中的氧气极其容易氧化。被空气中的氧气氧化后,直接生成二氧化硅,氧化硼,三氧化二铝等颗粒粉末。颗粒物粉末在工艺尾气进口处即与空气/氧气混合处容易挂壁在管壁上,并集聚。并且容易形成对工艺尾气管路入口处的堵塞。对工艺尾气处理系统的安全平稳运行造成负面影响。有粉末集聚和堵塞的情况发生时,导致进入氧化的工艺尾气流量逐渐较少,并最终形成对前端正常的生产活动产生负面影响。甚至会对安全生产产生威胁。

由此,对一般的自燃工艺尾气处理装置的运行,均需要人工定期维护和清理进口管路系统,以此避免管道的堵塞对正常的工艺生产和尾气处理造成负面影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于废气净化导管中的结块清除装置,以解决上述背景技术中提出的问题,该气缸的轴上设计一个挡板。该挡板被气缸轴往复切换运动时,在工艺尾气的进口管段来回运行并刮除附着在管壁上的由工艺尾气氧化后生成的颗粒物,以此达到自动清理的目的。同时,挡板的设计采用特别的结构设计,保证在自动清理过程,降低对工艺尾气的压力和流量的影响的同时加快了工艺尾气的流速,提高过滤效率,优化工艺尾气进口和混合口的结构设计,保证气缸的可靠平稳运行。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种用于废气净化导管中的结块清除装置,包括氧化室、进气组件和引风机,其特征在于,所述氧气室内安装有过滤器,所述过滤器内部安装有气管,所述气管穿过所述氧气室向上通向氧气室外部,所述气管上端安装有所述引风机,所述气管一侧的所述氧气室上安装有清除装置,所述清除装置包括控制器、切换阀、气缸和导杆,所述控制器与所述切换阀连接,所述切换阀与所述气缸连接,所述气缸上设置有导杆,所述导杆上连接有挡板,所述导杆安装于进气装置内,所述进气装置包括立管和进气管,所述立管一侧设置有进气孔,所述进气孔与所述进气管成夹角固定连接;通过设置氧化室的过滤器能够完成对工艺废气的净化吸附,在吸附过程中通过清除装置对工艺尾气的反应形成的颗粒聚集物进行清理。

优选的,所述挡板包括上挡圈和下挡板,所述上挡圈安装于所述下挡板的边沿处,所述下挡板中心位置安装有旋转管,所述旋转管内安装有转轴,所述转轴与旋转清理装置转动连接,所述旋转清理装置安装于所述导杆上;通过上挡圈和下挡板的设置能够在他们之间形成夹层,夹层用于放置旋转清理装置,保证旋转清理装置能够定位旋转防止在旋转过程中颗粒物的飞落,同时上挡圈通过导杆固定。

优选的,所述下挡板包括外圈、内圈、筋、固定孔和透气孔,所述外圈与所述内圈通过所述筋连接,所述内圈上设置有固定孔,所述外圈与所述内圈、筋之间形成透气孔;设置外圈和内圈主要是保证在挡板下落过程中能够保证工艺尾气的顺利通过,在不影响工艺尾气处理的过程中刮除立管内壁上的聚集颗粒,便于进行自动清理。

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