[发明专利]掩模坯料、转印用掩模、及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种掩模坯料，其具备基板和位于基板上的图案形成用薄膜，

所述薄膜由含有铬的材料形成，

所述薄膜由与基板侧相反侧的上部区域、和除该上部区域以外的区域构成，

所述上部区域的结晶尺寸比除所述上部区域以外的区域的结晶尺寸大。

2.根据权利要求1所述的掩模坯料，其中，

所述薄膜的上部区域和除上部区域以外的区域均为多晶结构。

3.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，

利用电子衍射法获得的所述薄膜的上部区域和除上部区域以外的区域的各晶面间距均为0.2nm以上。

4.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，

所述薄膜的上部区域和除上部区域以外的区域均具有柱状结构。

5.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，所述薄膜的除上部区域以外的区域从基板侧起由下部区域及中部区域这两个区域构成，

所述薄膜的结晶尺寸按照中部区域、下部区域、上部区域的顺序变大。

6.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，

所述薄膜是所述铬的含量在厚度方向上变化的组成梯度膜。

7.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，

所述薄膜是对于曝光光具有3以上的光密度的遮光膜。

8.一种转印用掩模，其具备基板和位于基板上的具有转印图案的薄膜，

所述薄膜由含有铬的材料形成，

所述薄膜由与基板侧相反侧的上部区域、和除该上部区域以外的区域构成，

所述上部区域的结晶尺寸比除所述上部区域以外的区域的结晶尺寸大。

9.根据权利要求8所述的转印用掩模，其中，

所述薄膜的上部区域和除上部区域以外的区域均为多晶结构。

10.根据权利要求8或9所述的转印用掩模，其中，

利用电子衍射法获得的所述薄膜的上部区域和除上部区域以外的区域的各晶面间距均为0.2nm以上。

11.根据权利要求8或9所述的转印用掩模，其中，

所述薄膜的上部区域和除上部区域以外的区域均具有柱状结构。

12.根据权利要求8或9所述的转印用掩模，其中，

所述薄膜的除上部区域以外的区域从基板侧起由下部区域及中部区域这两个区域构成，

所述薄膜的结晶尺寸按照中部区域、下部区域、上部区域的顺序变大。

13.根据权利要求8或9所述的转印用掩模，其中，

所述薄膜为所述铬的含量在厚度方向上变化的组成梯度膜。

14.根据权利要求8或9所述的转印用掩模，其中，

所述薄膜是对于曝光光具有3以上的光密度的遮光膜。

15.一种半导体器件的制造方法，该方法具备：

使用权利要求8～14中任一项所述的转印用掩模，将转印图案曝光转印至半导体基板上的抗蚀膜的工序。