[发明专利]功率放大电路在审
申请号: | 202011324715.4 | 申请日: | 2020-11-23 |
公开(公告)号: | CN112929000A | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 榎本纯;渡边一雄;田中聪;田中佑介;伊藤真音 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03F3/24 | 分类号: | H03F3/24 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李国华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 放大 电路 | ||
1.一种功率放大电路,包括:
第一偏置电路,其赋予第一偏置;
第二偏置电路,其赋予第二偏置;
第一晶体管,其发射极与基准电位电连接,在基极经由第一电阻输入所述第一偏置,并且经由第一电容器输入高频输入信号,从集电极输出将所述高频输入信号放大后的高频信号;
第二晶体管,其在其他基极经由第二电阻输入所述第二偏置,并且所述其他基极经由第二电容器而与基准电位电连接,集电极经由第三电感器而与第一电源电位电连接,在发射极输入所述高频信号,从集电极输出将所述高频信号放大后的高频输出信号;以及
阻抗电路,其一端与所述第二偏置电路的输出部电连接,在从所述第二偏置电路向所述第二晶体管的所述其他基极的路径中施加与所述高频输入信号对应的信号。
2.根据权利要求1所述的功率放大电路,其中,
所述功率放大电路还包括:电容器,其一端与所述第一晶体管的集电极电连接,并且另一端与所述第二晶体管的发射极电连接,
所述第一晶体管的集电极经由第一电感器而与所述第一电源电位电连接,
所述第一晶体管的发射极经由第二电感器而与所述基准电位电连接。
3.根据权利要求2所述的功率放大电路,其中,
所述阻抗电路是对于直流为开放且对于交流为导通的电路。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的功率放大电路,其中,
所述阻抗电路的另一端与所述第二晶体管的发射极电连接。
5.根据权利要求4所述的功率放大电路,其中,
所述功率放大电路包括多个单元,该多个单元分别包括所述第二晶体管、所述第二电阻以及所述第二电容器,所述多个单元分别具备所述阻抗电路。
6.根据权利要求2或3所述的功率放大电路,其中,
所述阻抗电路的另一端与所述第一晶体管的集电极电连接。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的功率放大电路,其中,
所述阻抗电路的另一端与所述高频输入信号的输入部电连接。
8.根据权利要求2或7所述的功率放大电路,其中,
所述功率放大电路还包括其他阻抗电路,该其他阻抗电路的一端与所述第一偏置电路的输出部电连接,并且另一端与所述高频输入信号的输入部电连接。
9.根据权利要求1或2所述的功率放大电路,其中,
所述阻抗电路的另一端与所述第二晶体管的发射极电连接,
所述功率放大电路还包括其他阻抗电路,该其他阻抗电路的一端与所述第二偏置电路的输出部电连接,并且另一端与所述高频输入信号的输入部电连接。
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