[发明专利]一种通带可重构吸/透一体频率选择表面及基本单元在审
申请号: | 202011314133.8 | 申请日: | 2020-11-20 |
公开(公告)号: | CN112510376A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 黄修涛;张春波;樊君;张明秀;蔡汝峰;梁垠;张昊 | 申请(专利权)人: | 航天特种材料及工艺技术研究所 |
主分类号: | H01Q15/00 | 分类号: | H01Q15/00;H01Q17/00;H01Q1/42 |
代理公司: | 北京格允知识产权代理有限公司 11609 | 代理人: | 张莉瑜 |
地址: | 100074 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 通带可重构吸 一体 频率 选择 表面 基本 单元 | ||
1.一种通带可重构吸/透一体频率选择表面基本单元,其特征在于,包括:介质板、四个可变电容器和四个PIN二极管;
所述介质板的一侧表面上设有十字金属线和十字形金属环带;所述十字金属线的中心位于所述介质板的中心,构成所述十字金属线的金属臂与所述介质板的边平行,且每一个金属臂上均嵌设有一个所述可变电容器;所述十字形金属环带套设在所述十字金属线的外侧,且形成的四个凸出端的内侧分别与所述十字金属线的四个金属臂的末端对应相接;
所述介质板的另一侧表面上设有十字金属片和金属方环;所述十字金属片的中心位于所述介质板的中心,边与对应的金属臂平行;所述金属方环套设在所述十字金属片的外侧,所述金属方环的外边缘与所述介质板的外边缘对齐;所述十字金属片的每个凸出端均通过一个所述PIN二极管连接所述金属方环的对应边,所述PIN二极管设置在所述十字金属片与所述金属方环之间的间隔内,阴极连接所述十字金属片,阳极连接所述金属方环。
2.根据权利要求1所述的通带可重构吸/透一体频率选择表面基本单元,其特征在于:
所述介质板的介电常数范围为4.4~4.6,损耗角正切为0.001~0.003。
3.根据权利要求1所述的通带可重构吸/透一体频率选择表面基本单元,其特征在于:
所述介质板的边长范围为9.9~10.1mm,厚度范围为0.9~1.1mm。
4.根据权利要求1所述的通带可重构吸/透一体频率选择表面基本单元,其特征在于:
所述十字形金属环带的线宽范围为0.2~0.4mm,形成的凸出端的内侧间距范围为3.4~3.6mm。
5.根据权利要求1或4任一项所述的通带可重构吸/透一体频率选择表面基本单元,其特征在于:
所述金属臂的线宽范围为0.1~0.3mm。
6.根据权利要求1所述的通带可重构吸/透一体频率选择表面基本单元,其特征在于:
所述金属方环的线宽范围为0.9~1.1mm。
7.根据权利要求1或6任一项所述的通带可重构吸/透一体频率选择表面基本单元,其特征在于:
所述十字金属片的凸出端与所述金属方环的对应边之间的间隔范围为0.7~0.9mm。
8.根据权利要求1所述的通带可重构吸/透一体频率选择表面基本单元,其特征在于:
所述可变电容器的电容值变化范围为0~2pF。
9.根据权利要求1所述的通带可重构吸/透一体频率选择表面基本单元,其特征在于:
在透波时,所述可变电容器的电容值在0.04~0.06pF之间;
在吸波时,所述可变电容器的电容值在0.4~0.6pF之间。
10.一种通带可重构吸/透一体频率选择表面,其特征在于:包括多个如权利要求1-9任一项所述的通带可重构吸/透一体频率选择表面基本单元,各个基本单元以阵列式周期性排布。
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