[发明专利]存储模块控制方法及装置在审

专利信息
申请号: 202011307005.0 申请日: 2020-11-19
公开(公告)号: CN112420101A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 张瑞松 申请(专利权)人: 海光信息技术股份有限公司
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413;G11C7/22
代理公司: 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 代理人: 陈晓瑜
地址: 300384 天津市南开区华苑产*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 存储 模块 控制 方法 装置
【说明书】:

发明提供一种存储模块控制方法,包括:依据读写请求状态,确定时钟的使能信号状态;依据所述时钟的使能信号状态,确定时钟的工作状态;依据所述时钟的工作状态,将读写信号发送至存储模块;依据所述读写信号,将所述存储模块中与所述读写信号对应的数据发送至调用接口。本发明能够在现有的存储结构基础上,降低存储模块的功耗。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域,尤其涉及一种存储模块控制方法及装置。

背景技术

目前在芯片设计和制造领域,单位面积内晶体管数量剧增,主频越来越高,对于功耗的需求也在增加,因此降低功耗是芯片设计中不可或缺的一部分。不同芯片设计和制造厂商提供了不同的技术方案来降低芯片功耗,诸如不同模式的低功耗状态、存储单元制造工艺提升、调整工作频率等方案。当然也有在设计中提出通过降低静态随机存取存储器(SRAM)频率的方式降低功耗的方案。

前述的SRAM降功耗设计中,主流思路是改变SRAM存储结构。其主要的技术方向有两种,一种是降低读写过程中彼此存储单元间的相互关联度,减少行列操作时的单元影响度,实现降低功耗的目的;另一种是通过改变存储结构设计,降低漏电流和预充电时间达到降低功耗的目的。

在实现本发明的过程中,发明人发现现有技术中至少存在如下技术问题:

现有的SRAM降功耗设计中,需要改变SRAM存储结构,因此,会增加设计的难度和复杂度。

发明内容

本发明提供的存储模块控制方法及装置方法、装置及用户设备,能够在现有的存储结构基础上,降低存储模块的功耗。

第一方面,本发明提供一种存储模块控制方法,包括:

依据读写请求状态,确定时钟的使能信号状态;

依据所述时钟的使能信号状态,确定时钟的工作状态;

依据所述时钟的工作状态,将读写信号发送至存储模块;

依据所述读写信号,将所述存储模块中与所述读写信号对应的数据发送至调用接口。

可选地,依据读写请求状态,确定时钟的使能信号状态包括:

接收读写请求信号并确定所述读写请求信号的状态;

依据所述读写请求信号的状态,确定时钟的使能信号状态。

可选地,依据所述读写请求信号的状态,确定时钟的使能信号状态包括:

当所述读写请求信号为需要读写的状态时,确定时钟的使能信号状态为使能状态;

当所述读写请求信号为不需要读写的状态时,确定时钟的使能信号状态为非使能状态。

可选地,当所述读写请求信号为不需要读写的状态时,确定时钟的使能信号状态包括:

当所述读写请求信号为不需要读写的状态时,确定读写延迟时间;

当所述读写延迟时间结束时,确定时钟的使能信号状态为非使能状态。

可选地,依据读写请求状态,确定时钟的使能信号状态包括:

依据所述读写请求状态,确定缓存数据是否满足读写要求;

当所述缓存数据不满足读写要求时,确定时钟的使能信号状态为使能状态。

可选地,依据所述时钟的使能信号状态,确定时钟的工作状态包括:

当所述时钟的使能信号状态为使能状态时,确定所述时钟的工作状态为打开状态;

当所述时钟的使能信号状态为非使能状态时,确定所述时钟的工作状态为关闭状态。

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