[发明专利]用于控制发光元件的像素电路在审
申请号: | 202011293351.8 | 申请日: | 2020-11-18 |
公开(公告)号: | CN113053304A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 河内玄士朗 | 申请(专利权)人: | 天马日本株式会社;武汉天马微电子有限公司 |
主分类号: | G09G3/3208 | 分类号: | G09G3/3208;G09G3/3266 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 谭营营;胡彬 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 控制 发光 元件 像素 电路 | ||
1.一种像素电路,配置为控制用于发光元件的驱动电流,所述像素电路包括:
驱动晶体管,其配置为向所述发光元件供应驱动电流;
第一开关晶体管,包括源极、栅极和漏极,所述第一开关晶体管配置为发送对应于所述驱动电流的数据信号;
存储电容器,其配置为从所述第一开关晶体管接收所述信号并存储将要施加给所述驱动晶体管的栅极的电压;
第二开关晶体管,其配置为校正将要存储到所述存储电容器的电压;以及
第一电容器,其包括与所述驱动晶体管的漏极连接的电极和将被供应以预定电势的电极。
2.根据权利要求1所述的像素电路,其中通过将所述第一电容器的电容除以所述存储电容器的电容获得的值不小于2。
3.根据权利要求1所述的像素电路,还包括:
与所述存储电容器并联连接的电阻器。
4.根据权利要求3所述的像素电路,
其中所述存储电容器的电容与所述电阻器的电阻的乘积不小于0.1秒,并且
其中通过将所述第一电容器的电容除以所述存储电容器的电容获得的值不小于2。
5.根据权利要求3所述的像素电路,还包括:
下部电极;
上部电极;以及
所述下部电极与所述上部电极之间的介电膜;
其中所述存储电容器包括所述下部电极的一部分、所述上部电极的一部分,以及在所述下部电极的一部分与所述上部电极的一述部分之间的所述介电膜的一部分,以及
其中所述电阻器形成于位于所述下部电极的边缘与所述上部电极悬垂于所述边缘的部分之间的所述介电膜的部分中。
6.根据权利要求1所述的像素电路,其中所述第一电容器是金属-绝缘体-半导体电容器,其具有绝缘层、金属层和半导体膜的叠层结构。
7.根据权利要求1所述的像素电路,
其中所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管配置为同时导通,
其中所述第二开关晶体管配置为当所述第二开关晶体管为开时将所述驱动晶体管保持在二极管连接状态,以及
其中将要存储到所述存储电容器的电荷通过处于所述二极管连接状态的所述驱动晶体管的沟道而被供应给所述存储电容器。
8.根据权利要求1所述的像素电路,
其中所述第一电容器包括:
下部电极,被包括在与所述驱动晶体管的漏极相同的半导体膜中;以及
绝缘膜和上部电极,叠放在所述下部电极上。
9.根据权利要求1所述的像素电路,其中所述第一电容是可变电容器。
10.根据权利要求1所述的像素电路,还包括:
第三开关晶体管,其配置为控制到所述驱动晶体管的电流供应的开/关;
第四开关晶体管,其配置为给所述驱动晶体管的栅极供应第一重置电势;
第五开关晶体管,位于所述驱动晶体管与所述发光元件之间,所述第五开关晶体管配置为控制到所述发光元件的电流供应的开/关;以及
第六开关晶体管,其配置为给所述发光元件的阳极供应第二重置电势。
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