[发明专利]一种检测MOS管的方法和系统

说明书

本发明公开了一种检测MOS管的方法和系统，包括计算机，所述计算机连接有上位机，所述上位机连接有高温房，所述高温房内设有下位机，且上位机与下位机相连接，所述下位机连接有测试台，所述计算机包括数据库、打印设备和声光报警器，所述上位机包括第一单片机、温控模块、数码管和第一编译器，所述下位机包括第二单片机、第二编译器、红外温度计和模拟开关，所述测试台包括夹持装置、温度调节器和电阻测试仪，优选的，所述计算机通过USB接口与上位机连接。实现了便于对MOS管进行自动化老化检测的效果，大大节省了人力成本，保证了检测数值的准确性，有效提升了检测效率，实现了大批量进行检测的效果，实用性较好。

技术领域

本发明涉及MOS管检测技术领域，尤其涉及一种检测MOS管的方法和系统。

背景技术

MOS管一般指PMOS管。PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。半导体器件作为电子设备的核心，其可靠性尤为重要。但是半导体器件制作工艺复杂性以及其寿命特点(浴盆失效概率)，很难从外观上检测其好坏。

目前现有的MOS管生产中大多为人工抽样进行老化检测，人工检测耗费时间较长且检测效率较低，并且人工检测数值容易出现误差，难以对MOS管的大批量自动化老化检测，缺乏相应自动化检测方法，现有检测方法实用性较差。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种检测MOS管的方法和系统，解决了难以对MOS管进行自动化老化检测的问题。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：一种检测MOS 管的方法和系统，包括计算机，所述计算机连接有上位机，所述上位机连接有高温房，所述高温房内设有下位机，且上位机与下位机相连接，所述下位机连接有测试台，所述计算机包括数据库、打印设备和声光报警器，所述上位机包括第一单片机、温控模块、数码管和第一编译器，所述下位机包括第二单片机、第二编译器、红外温度计和模拟开关，所述测试台包括夹持装置、温度调节器和电阻测试仪。

优选的，所述计算机通过USB接口与上位机连接，所述上位机采用MSP430F1471单片机，所述下位机采用MSP430F133单片机。

优选的，所述上位机和下位机通过RS485总线转换器进行连接。

优选的，数码管为九位数码管，且前六位用于显示测试时长，且后三位用于显示测试台号码。

优选的，所述上位机每隔一分钟通过红外温度计采集一次温度信息，且温度信息通过数码管显示。

一种检测MOS管的方法和系统，包括以下步骤：

S1：将待测产品置于测试台夹持装置处，进行夹持固定并与电阻测试仪连接；

S2：计算机通过控制上位机温控模块控制产生输入信号，通过下位机第二单片机和第二编译器传递给模拟开关，再控制温度调节器线性调节测试台温度，使得测试台温度到达所需温度；

S3：由红外温度计收集温度信息，由电阻测试仪收集测试器件电阻数值，并每隔一分钟传递给上位机，测试温度和时间信息通过数码管显示；

S4：测试温度、时间和电阻数值再经由上位机传输给计算机，存入计算机数据库中，并将电阻值与标准老化阻值进行比对；

S5：当电阻值达到稳定标准老化阻值时，计算机控制声光报警器声光报警进行提示，并同时控制上位机停止相应测试台停止运行；当电阻值未达到稳定标准老化阻值时，计算机不做出反应；

S6：测试完成后，可通过计算机连接的打印设备，进行测试报告打印。