[发明专利]用于温度和气体检测的红外热电堆传感器的制备方法

权利要求书

1.用于温度和气体检测的红外热电堆传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、硅片处理，将硅片双面抛光，然后清洗烘干；

S2、挖槽，在硅片上光刻环形槽；

S3、生长介质层，先热生长氧化硅层，所述氧化硅层的厚度为0.5～0.6μm，再生长多晶硅层，所述多晶硅层的厚度为2μm；

S4、离子注入；

S5、第一层硅条，等离子对多晶硅刻蚀出第一层硅条；

S6、隔离层，生成氧化硅隔离层；

S7、第二层硅条，等离子对氧化硅刻蚀出第二层硅条；

S8、生长氧化硅层；

S9、刻蚀出引线孔；

S10、金属连接，溅射铝，光刻铝条，接着60℃浓硫酸腐蚀成形，形成多晶硅与铝的热偶对结构；

S11、合金化；

S12、吸收层，在惰性气体条件下蒸发一层镍层；

S13、光刻刻蚀开口；

S14、刻蚀腔体，干法刻蚀释放结构，根据刻蚀开口刻蚀硅衬底，形成悬浮吸收层，释放热电堆结构。

2.根据权利要求1所述的用于温度和气体检测的红外热电堆传感器的制备方法，其特征在于，

所述步骤S1中硅片厚度为500±10μm，硅片晶向100，电阻率10～15Ω。

3.根据权利要求1所述的用于温度和气体检测的红外热电堆传感器的制备方法，其特征在于，

所述步骤S2中曝光量为170，刻蚀气体为氯气，触发时间850～950s。

4.根据权利要求1所述的用于温度和气体检测的红外热电堆传感器的制备方法，其特征在于，

所述步骤S5和所述步骤S7中刻蚀气体为六氟化硫，触发时间30～34s。

5.根据权利要求1所述的用于温度和气体检测的红外热电堆传感器的制备方法，其特征在于，

所述步骤S8中氧化硅层的厚度为0.5～0.6μm

6.根据权利要求1所述的用于温度和气体检测的红外热电堆传感器的制备方法，其特征在于，

所述步骤S11中合金化的温度450℃，所述合金化在氮气环境下进行。

7.根据权利要求1所述的用于温度和气体检测的红外热电堆传感器的制备方法，其特征在于，

所述步骤S12中的镍层厚度为1～3μm。