[发明专利]一种基于VO2

权利要求书

1.一种基于VO₂的开关型宽带太赫兹波吸收器，其特征在于，包括：多个呈矩阵形式排列的微结构单元；

所述微结构单元包括：相变材料层、介质层和反射层；所述相变材料层位于所述介质层的上表面，所述反射层位于所述介质层的下表面；

所述相变材料层包括：4个呈矩阵形式排列的L形VO₂贴片；所述L形VO₂贴片中间镂空，镂空图案为按比例缩小的L形；其中，所述L形VO₂贴片的两个长臂向所述相变材料层的边沿方向延伸，任意两个相邻的L形VO₂贴片呈镜像对称。

2.根据权利要求1所述的基于VO₂的开关型宽带太赫兹波吸收器，其特征在于，

所述长臂的长度为18μm～28μm，宽度为11μm～17μm，厚度为0.2μm～1μm；

所述镂空图案的外边沿距离所述L形VO₂贴片的外边沿的宽度为3μm～6μm。

3.根据权利要求1所述的基于VO₂的开关型宽带太赫兹波吸收器，其特征在于，每个所述微结构单元中，任意两个相邻的L形VO₂贴片之间的距离为10μm～18μm。

4.根据权利要求1所述的基于VO₂的开关型宽带太赫兹波吸收器，其特征在于，所述相变材料层的外边沿不超出所述介质层的边沿，且与所述介质层的边沿之间的距离不小于2μm。

5.根据权利要求1所述的基于VO₂的开关型宽带太赫兹波吸收器，其特征在于，所述介质层采用相对介电常数在(2，4)之间的、电损耗正切小于0.01的非导电材料制成。

6.根据权利要求5所述的基于VO₂的开关型宽带太赫兹波吸收器，其特征在于，所述非导电材料包括：聚酰亚胺或苯并环丁烯BCB。

7.根据权利要求1所述的基于VO₂的开关型宽带太赫兹波吸收器，其特征在于，所述介质层呈正方形结构，所述正方形结构的边长为32μm～38μm，厚度为8μm～12μm。

8.根据权利要求1所述的基于VO₂的开关型宽带太赫兹波吸收器，其特征在于，所述反射层的材质包括：金、铜或铝。

9.根据权利要求1所述的基于VO₂的开关型宽带太赫兹波吸收器，其特征在于，所述反射层的厚度为0.1μm～1μm。

10.一种基于VO₂的开关型宽带太赫兹波吸收装置，其特征在于，包括：如权利要求1-9任一项所述的基于VO₂的开关型宽带太赫兹波吸收器和温度调控模块；

所述温度调控模块，用于调控所述开关型宽带太赫兹波吸收器中的相变材料层的温度，以控制所述相变材料层的相变状态；其中，当所述相变材料层处于金属相时，所述开关型宽带太赫兹波吸收器的太赫兹波吸收功能开启，当所述相变材料层处于绝缘相时，所述开关型宽带太赫兹波吸收器的太赫兹波吸收功能关闭。