[发明专利]低噪声宽带高压放大器在审

专利信息
申请号: 202011233835.3 申请日: 2020-11-07
公开(公告)号: CN112290893A 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 郑耀辉;王锦荣;张宏宇;赵子琳;田龙;王雅君 申请(专利权)人: 山西大学
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H03F1/42
代理公司: 太原申立德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14115 代理人: 程园园
地址: 030006*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 噪声 宽带 高压 放大器
【权利要求书】:

1.低噪声宽带高压放大器,其特征在于:包括差分输入电路、偏置调整电路、过压保护电路、功率运算放大电路、监测电路、欠压保护电路、过温保护电路、电阻R5、电阻R14-R15及电容C5,所述功率运算放大电路的输入端1与过压保护电路的输出端连接,输入端2与欠压保护电路及过温保护电路的输出端连接,输出端与监测电路的输入端连接,所述差分输入电路的输出端与电阻R5的一端连接,所述偏置调整电路的输出端与电阻R15的一端连接,所述电阻R15的另一端分别与电阻R14、电容C5的一端连接,所述电容C5的另一端接地,所述过压保护电路的输入端分别与电阻R5、R14的另一端连接。

2.根据权利要求1所述的低噪声宽带高压放大器,其特征在于:所述差分输入电路包括有运算放大器U1、电阻R1-R4、电容C1-C2及接口J1,所述运算放大器U1的端口2分别与电阻R1、R3及电容C1的一端连接,端口3分别与电阻R2、R4的一端相连,端口7、4分别与+15V电源和-15V电源连接,端口5与电容C2的一端相连,端口6分别与电阻R3、电容C1的另一端及差分输入电路的输出端连接,所述电阻R1的另一端与接口J1的一端连接,所述电阻R2的另一端与接口J1的另一端连接,所述电阻R4的另一端接地,所述C2的另一端接地。

3.根据权利要求1所述的低噪声宽带高压放大器,其特征在于:所述偏置调整电路包括有10V高精度基准电压源U2、电位器P1、运算放大器U3-i、电阻R16-R19及电容C6-C9,所述10V高精度基准电压源U2的端口2分别与+15V电源、电容C9的一端连接,端口4接地,端口6与电位器P1的输入端连接,端口8分别与电容C7的一端及电容C8的正极相连,所述电容C9的另一端接地,所述电容C7的另一端及电容C8的负极均接地,所述电位器P1的输出端接地,所述运算放大器U3-A的端口12与电位器P1的滑动端连接,端口13与电阻R19的一端连接,端口14分别与电阻R19的另一端及电阻R18的一端连接,所述运算放大器U3-B的端口2分别与电阻R18的另一端及电阻R17的一端连接,端口3接地,端口1分别与电阻R17的另一端及电阻R16的一端连接,所述运算放大器U3-C的端口10分别与电阻R16的另一端及电容C6的一端连接,端口4、11分别与+15V电源和-15V电源连接,端口8、9连接后与偏置调整电路的输出端连接,所述电容C6的另一端接地,其中,i=A、B、C。

4.根据权利要求1所述的低噪声宽带高压放大器,其特征在于:所述过压保护电路包括有四个N沟道场效应管T1-T4,所述N沟道场效应管T1的端口1、2均与过压保护电路输入端连接,端口3与N沟道场效应管T2的端口1、2连接,端口4接地,所述N沟道场效应管T2的端口3、4均接地,所述N沟道场效应管T3的端口1、2、4均接地,端口3与N沟道场效应管T4的端口1、2连接,所述N沟道场效应管T4的端口3与过压保护电路输出端连接,端口4接地。

5.根据权利要求1所述的低噪声宽带高压放大器,其特征在于:所述功率运算放大电路包括有功率运算放大器U4、电阻R6-R9、电容C3及接头J2,所述功率运算放大器U4的端口1分别与功率运算放大电路的输入端及电阻R6的一端相连,端口2接地,端口4与电阻R8的一端连接,端口5与电容C3的一端连接,端口6分别与电阻R6的另一端、电阻R7的一端、电阻R9的一端连接,端口7、8连通后与-15V电源连接,端口9、10连通后与电阻R7的另一端连接,端口11、12连通后与功率运算放大电路的输入端2连接,所述电阻R8的另一端与电容C3的另一端连接,所述电阻R9的另一端分别与功率运算放大电路的输出端、接头J2的一端连接,所述接头J2的另一端接地。

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