[发明专利]一种高电传输性能的电子材料制备方法有效
申请号: | 202011229672.1 | 申请日: | 2020-11-06 |
公开(公告)号: | CN112341794B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 邓家传;李平鸿;王岳顺 | 申请(专利权)人: | 深圳市怀辉电子材料有限公司 |
主分类号: | C08L75/04 | 分类号: | C08L75/04;C08L51/10;C08K13/06;C08K9/04;C08K9/02;C08K7/26;C08K3/04;H01B1/12;H01B1/18;H01B1/24;H01B13/00 |
代理公司: | 广东中禾共赢知识产权代理事务所(普通合伙) 44699 | 代理人: | 陈欢 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 传输 性能 电子 材料 制备 方法 | ||
本发明公开了一种高电传输性能的电子材料制备方法,包括以下加工步骤:材料混合、材料混合、二氧化硅处理、二氧化硅搅拌、胶液加工、成品烘干、成品处理,其中材料混合,将聚醚多元醇、聚酯多元醇混合均匀,在60‑80℃下真空脱水1‑2h,再加入甲苯二异氰酸酯、酒石酸丙酮溶液,在65‑70℃下保温反应1‑2h,冷却至室温。本发明所述的一种高电传输性能的电子材料制备方法,改进了电子材料的原材料,提高了电子材料的整体电传输性能,从而提高了电子材料的整体质量,更有效的使电子材料进行利用,改进了电子材料的生产工艺,使电子材料的生产工艺简洁明了,提高了电子材料的生产效率,并提高了电子材料生产的稳定性。
技术领域
本发明涉及电子材料领域,特别涉及一种高电传输性能的电子材料制备方法。
背景技术
电子材料是指在电子技术和微电子技术中使用的材料,包括介电材料、半导体材料、压电与铁电材料、导电金属及其合金材料、磁性材料、光电子材料、电磁波屏蔽材料以及其他相关材料。电子材料是现代电子工业和科学技术发展的物质基础,同时又是科技领域中技术密集型学科,它涉及到电子技术、物理化学、固体物理学和工艺基础等多学科知识。根据材料的化学性质,可以分为金属电子材料,电子陶瓷,高分子电子、玻璃电介质、云母、气体绝缘介质材料,电感器、绝缘材料、磁性材料、电子五金件、电工陶瓷材料、屏蔽材料、压电晶体材料、电子精细化工材料、电子轻建纺材料、电子锡焊料材料、PCB制作材料、其它电子材料,但是电子材料的生产和使用需求提高,现有的电子材料制备已经无法满足人们的需求,需要对电子材料制备方法进行改进;在电子材料制备方法使用时,无法有效的提高电子材料的电传输性能,降低了电子材料的整体质量,同时,电子材料的生产工艺繁琐,导致了电子材料的生产效率低,并降低了电子材料生产的稳定性。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种高电传输性能的电子材料制备方法,可以有效解决背景技术中无法有效的提高电子材料的电传输性能,电子材料的生产工艺繁琐的问题。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案为:
一种高电传输性能的电子材料制备方法,包括以下加工步骤:
S1、材料混合:将聚醚多元醇、聚酯多元醇混合均匀,在60-80℃下真空脱水1-2h,再加入甲苯二异氰酸酯、酒石酸丙酮溶液,在65-70℃下保温反应1-2h,冷却至室温,加入三乙胺丙酮溶液搅拌,制成乳状液,再进行抽真空,蒸出丙酮,即可得到水性聚氨脂乳液,再将水性聚氨脂乳液与去离子水混合,稀释成浓度为26-33%的水溶液,再加入氨基磺酸盐,在300-500r/min的转速下搅拌20-25min,得到混合物一;
S2、纳米材料添加:向混合物一中加入碳纳米材料,在1800-2400r/min的转速下搅拌25-35min,再加入接枝炭黑、过渡金属卤化物,在200-300r/min的转速下搅拌10-15min,调节pH值在5-6,再加入偶联剂搅拌5h,得到混合物二;
S3、二氧化硅处理:将介孔二氧化硅加入浓硫酸中,超声处理10分钟后过滤得到滤饼,然后将滤饼洗涤、干燥得到酸蚀介孔二氧化硅;
S4、二氧化硅搅拌:将酸蚀介孔二氧化硅与正硅酸乙酯混合后于150℃搅拌1小时后再加入3,3'-二硫代二丙酸和丙烯酸丁酯,于70℃搅拌40分钟,得到改性二氧化硅体系;
S5、胶液加工:将改性二氧化硅泡沫体系加入混合物二中,在温度120℃中进行搅拌,然后于95~105℃下,加入单官能团环氧体系,搅拌20分钟,得到胶液;
S6、成品烘干:将受阻胺类光稳定剂加入胶液中进行离心处理,离心之后投入到模具进行挤压、锻造,之后再进行烘干处理,烘干温度设为120℃,脱模后得产物;
S7、成品处理:将步骤S6中的烧结后的成品进行整修工作,确保尺寸与厚度精度,填充系数为0.84—0.86,在-55℃至150℃范围内,磁性能变化5%—10%,而且可逆,即得到软磁电子材料。
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