[发明专利]CH3有效

专利信息
申请号: 202011191194.X 申请日: 2020-10-30
公开(公告)号: CN112300786B 公开(公告)日: 2022-08-23
发明(设计)人: 吴龙;王亚生;周书弘 申请(专利权)人: 湖北工业大学
主分类号: C09K11/02 分类号: C09K11/02;C09K11/06;B82Y30/00
代理公司: 武汉华强专利代理事务所(普通合伙) 42237 代理人: 温珊姗;王冬冬
地址: 430068 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: ch base sub
【说明书】:

发明公开了CH3NH3PbBr3钙钛矿量子点转水相的合成方法,该方法将液态有机硅源溶解于CH3NH3PbBr3量子点甲苯溶液,盛放于第一容器;浓氨水盛放于第二容器;第一容器和第二容器内均放磁力搅拌转子;在磁力搅拌仪器上方设置一密闭空间,将第一容器和第二容器置于磁力搅拌仪器上并处于该密闭空间内;开启磁力搅拌仪,保持密闭空间内温度20℃~25℃,使反应1h~24h;对第一容器内溶液进行离心、沉淀,即得产物。本发明方法更温和,且可大大缩短合成时间,所得SiO2涂层CH3NH3PbBr3量子点稳定性优,可在乙醇相中稳定存在。

技术领域

本发明属于纳米材料技术领域,特别涉及CH3NH3PbBr3钙钛矿量子点转水相的合成方法。

背景技术

CH3NH3PbBr3量子点材料对水十分敏感,水会分解CH3NH3PbBr3量子点,导致CH3NH3PbBr3量子点荧光淬灭。传统的涂料SiO2是一种具有吸引力的无机材料,可以保护核心材料由于水而解体。SiO2涂层的量子点(例如CdSe-SiO2,CdSe/ZnS-SiO2,CdSe /CdS/ZnS-SiO2等)被广泛研究,发现涂层后量子点的光稳定性得到了显著的改善。SiO2的形成通常以正硅酸四乙酯(TEOS)或者正硅酸四甲酯(TMOS)为前体,在含有水、乙醇、(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷(MPS)或氨(胺)的可控混合物中进行。由于CH3NH3PbBr3量子点对于周围环境特别敏感,传统的SiO2方法对CH3NH3PbBr3量子点进行涂层大多数都失败了。因为水、醇、胺、甚至是(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷(MPS) 的存在,都会导致CH3NH3PbBr3量子点的猝灭。正硅酸四乙酯(TEOS)水解反应是水辅助的,也会导致CH3NH3PbBr3量子点上无法形成SiO2涂层,在SiO2形成之前,CH3NH3PbBr3量子点已经被水分解。开发一种不破坏CH3NH3PbBr3量子点的SiO2涂层方法是一项极具挑战性的任务。

CH3NH3PbBr3量子点对环境与体系的要求极高,尤其是水分含量,对CH3NH3PbBr3量子点的应用造成诸多限制。目前有在无水甲苯中进行SiO2涂层CH3NH3PbBr3量子点的方法,该方法增加了CH3NH3PbBr3量子点的稳定性,但合成时间长,并且对试剂和实验条件要求极高。

发明内容

本发明目的是提供一种合成时间大大缩短且方法更温和的CH3NH3PbBr3钙钛矿量子点转水相的合成方法。

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