[发明专利]像素补偿电路、显示装置和像素补偿方法有效
申请号: | 202011187155.2 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN112289266B | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 陈彩琴 | 申请(专利权)人: | 维沃移动通信有限公司 |
主分类号: | G09G3/3225 | 分类号: | G09G3/3225 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 523863 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 补偿 电路 显示装置 方法 | ||
1.一种像素补偿电路,其特征在于,包括:发光二极管、数据信号传输端、高电压传输端、复位信号传输端、扫描信号输入端、开关信号输入端、补偿模块、驱动模块和复位模块;所述驱动模块、所述补偿模块和所述复位模块中至少一个模块包括开关晶体管;
所述扫描信号输入端分别与所述补偿模块的第一控制端、所述复位模块的控制端以及所述驱动模块的第一控制端连接,所述开关信号输入端分别与所述补偿模块的第二控制端以及所述驱动模块的第二控制端连接;
所述补偿模块的输入端与所述数据信号传输端连接,所述驱动模块的输入端与所述高电压传输端连接,所述复位模块的输入端与所述复位信号传输端连接;
所述补偿模块的输出端、所述驱动模块的输出端以及所述复位模块的输出端分别与所述发光二极管的阳极连接,所述发光二极管的阴极与基准电压传输端连接;
所述驱动模块包括:驱动晶体开关、第一晶体开关和第二晶体开关;
所述第一晶体开关的源极与所述高电压传输端连接,所述第一晶体开关的栅极与所述开关信号输入端连接,所述第一晶体开关的漏极与所述驱动晶体开关的源极连接;
所述驱动晶体开关的漏极与所述第二晶体开关的源极连接,所述驱动晶体开关的栅极通过所述补偿模块与所述驱动晶体开关的源极连接,所述驱动晶体开关的漏极还通过所述补偿模块与所述数据信号传输端连接;
所述第二晶体开关的漏极分别与所述发光二极管的阳极、所述复位模块以及所述补偿模块连接,所述第二晶体开关的栅极与所述扫描信号输入端连接;
所述补偿模块包括:第三晶体开关、第四晶体开关和电容;
所述第三晶体开关的源极与所述数据信号传输端连接,所述第三晶体开关的漏极与所述驱动晶体开关的漏极连接,所述第三晶体开关的栅极与所述开关信号输入端连接;
所述第四晶体开关的源极与所述驱动晶体开关的源极连接,所述第四晶体开关的漏极分别与所述驱动晶体开关的栅极和所述电容的第一端连接,所述第四晶体开关的栅极与所述扫描信号输入端连接;
所述电容的第二端分别与所述复位模块和所述发光二极管的阳极连接;
所述复位模块包括:第五晶体开关,所述第五晶体开关的栅极与所述扫描信号输入端连接;所述第五晶体开关的源极连接于所述复位信号传输端;所述第五晶体开关的漏极连接于所述电容的第二端。
2.根据权利要求1所述的像素补偿电路,其特征在于,所述驱动晶体开关、所述第三晶体开关、所述第四晶体开关以及所述第五晶体开关为NMOS管;所述第一晶体开关和所述第二晶体开关为PMOS管。
3.根据权利要求2所述的像素补偿电路,其特征在于,所述驱动晶体开关为低温多晶硅LTPS NMOS管,所述第三晶体开关、所述第四晶体开关以及所述第五晶体开关为氧化物NMOS管。
4.根据权利要求1所述的像素补偿电路,其特征在于,所述驱动晶体开关、所述第一晶体开关、所述第四晶体开关以及所述第五晶体开关为NMOS管;所述第三晶体开关和所述第二晶体开关为PMOS管。
5.根据权利要求1所述的像素补偿电路,其特征在于,所述驱动晶体开关、所述第一晶体开关以及所述第二晶体开关为NMOS管;所述第三晶体开关、所述第四晶体开关以及所述第五晶体开关为PMOS管。
6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-5中任一项所述的像素补偿电路。
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