[发明专利]散射抑制结构、电磁边界、低频辐射单元及天线

权利要求书

1.一种散射抑制结构，用于设置于基材上，所述基材设有相对的第一表面与第二表面，其特征在于，所述散射抑制结构包括散射抑制单元，所述散射抑制单元包括：

第一导体带、第二导体带，所述第一导体带设置于所述第一表面上，所述第二导体带设置于所述第一表面或所述第二表面上，所述第一导体带沿着垂直于所述第一表面的方向在所述第一表面上的投影为第一投影，所述第二导体带沿着垂直于所述第一表面的方向在所述第一表面上的投影为第二投影，所述第一投影与所述第二投影间隔设置；

第一短路传输线与第一开路传输线，所述第一短路传输线设于所述第二表面上；所述第一开路传输线设置于背离于所述第二导体带的所述基材的表面上；所述第一短路传输线的其中一端与所述第一导体带电性连接，所述第一短路传输线的另一端与所述第一开路传输线电性连接。

2.根据权利要求1所述的散射抑制结构，其特征在于，所述第一开路传输线的电长度和所述第一短路传输线的电长度均小于1/4*λ_l，λ_l为低频段中心频点对应的工作波长；所述第一短路传输线的电长度为1/4*λ_h，λ_h为高频段某个工作频点对应的工作波长。

3.根据权利要求1所述的散射抑制结构，其特征在于，当所述第一开路传输线设于所述第一表面上时，所述第一短路传输线的另一端通过金属化孔与所述第一开路传输线电性连接；当所述第一开路传输线设于所述第二表面上时，所述第一短路传输线的另一端与所述第一开路传输线直接电性连接。

4.根据权利要求1所述的散射抑制结构，其特征在于，所述散射抑制单元的数量为两个以上，两个以上所述散射抑制单元依次串联连接。

5.根据权利要求1所述的散射抑制结构，其特征在于，所述第一短路传输线为两个以上，所述第一开路传输线为两个以上，两个以上所述第一短路传输线在所述第一导体带的宽度方向上依次间隔地设置于所述第二表面上，两个以上所述第一开路传输线在所述第二导体带的宽度方向上依次间隔地设置于所述第一表面或所述第二表面上，两个以上所述第一短路传输线与两个以上所述第一开路传输线一一对应设置。

6.根据权利要求1所述的散射抑制结构，其特征在于，所述散射抑制单元还包括第二短路传输线与第二开路传输线；所述第二短路传输线设置于所述第二表面上，所述第二开路传输线与所述第一开路传输线位于所述基材的同一表面上，所述第二短路传输线与所述第一开路传输线间隔设置，所述第二开路传输线与所述第一短路传输线间隔设置；所述第二短路传输线的其中一端与所述第二导体带电性连接，所述第二短路传输线的另一端与所述第二开路传输线电性连接。

7.根据权利要求1所述的散射抑制结构，其特征在于，所述第一短路传输线沿着垂直于所述第一表面的方向在所述第一表面上的投影为第三投影，所述第一开路传输线沿着垂直于所述第一表面的方向在所述第一表面上的投影为第四投影，所述第三投影和所述第四投影的区域总和位于所述第一投影所在区域、所述第二投影所在区域及所述第一投影与所述第二投影的间隔区域。

8.根据权利要求7所述的散射抑制结构，其特征在于，所述第三投影位于所述第一导体带的中部区域或者位于所述第一导体带的侧部区域；所述第四投影位于所述第二导体带的中区域或者位于所述第二导体带的侧部区域。

9.根据权利要求1所述的散射抑制结构，其特征在于，所述第一短路传输线为折弯状。

10.根据权利要求1至9任意一项所述的散射抑制结构，其特征在于，所述基材上设有金属化过孔，所述第一短路传输线的其中一端通过所述金属化过孔的孔壁与所述第一导体带电性连接。

11.根据权利要求1至9任意一项所述的散射抑制结构，其特征在于，所述第一短路传输线被电感元件代替，所述第一开路传输线被电容元件代替。