[发明专利]主动式虚通道参数可配置的磁传感器装置、方法及系统有效
申请号: | 202011134411.1 | 申请日: | 2020-10-21 |
公开(公告)号: | CN112268566B | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 罗杰;冉峰;郭爱英;冯树;王坚奎 | 申请(专利权)人: | 上海灿瑞科技股份有限公司;上海大学;上海蓬瀛电子科技有限公司 |
主分类号: | G01D5/12 | 分类号: | G01D5/12;H03M1/06;H03M1/12;H03M1/66 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 张梦泽 |
地址: | 200436 上海市静安*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主动 通道 参数 配置 传感器 装置 方法 系统 | ||
1.一种主动式虚通道参数可配置的磁传感器装置,其特征在于,包括:磁传感器模块、放大器模块、AD转换电路、时钟控制电路、存储器、数字处理器、虚通道配置模块、温度偏置模块、DA转换模块和比较器模块;
所述磁传感器模块的信号输出端与所述放大器模块的第一信号输入端连接;所述放大器模块的信号输出端与所述AD转换电路的第一信号输入端连接;所述AD转换电路的信号输出端与所述数字处理器的第一信号输入端连接;所述时钟控制电路的信号输入端与所述虚通道配置模块的第一信号输出端连接;所述时钟控制电路的第一信号输出端与所述存储器的信号输入端连接;所述时钟控制电路的第二信号输出端与所述数字处理器的第二信号输入端连接;所述虚通道配置模块的第二信号输出端与所述放大器模块的第二信号输入端连接;所述虚通道配置模块的第三信号输出端与所述磁传感器模块的信号输入端连接;所述温度偏置模块的信号输入端与所述虚通道配置模块的第四信号输出端连接;所述温度偏置模块的第一信号输出端分别与所述放大器模块的第三信号输入端和所述AD转换电路的信号输入端连接;所述温度偏置模块的第二信号输出端分别与所述DA转换模块的第一信号输入端和所述比较器模块的第一信号输入端连接;所述数字处理器的信号输出端与所述DA转换模块的第二信号输入端连接;所述虚通道配置模块的第五信号输入端与所述比较器模块的第二信号输入端连接;所述虚通道配置模块的第六信号输入端与所述DA转换模块的第三信号输入端连接;所述DA转换模块的信号输出端与所述比较器模块的第三信号输入端连接。
2.根据权利要求1所述的主动式虚通道参数可配置的磁传感器装置,其特征在于,还包括:可靠性保护模块;
所述可靠性保护模块分别与所述虚通道配置模块和所述温度偏置模块连接。
3.根据权利要求1所述的主动式虚通道参数可配置的磁传感器装置,其特征在于,还包括:输出模块;
所述输出模块的第一信号输入端与所述虚通道配置模块的输出端连接;所述输出模块的第二信号输入端与所述温度偏置模块的第二信号输出端连接;所述输出模块的第三信号输入端与所述比较器模块的信号输出端连接。
4.根据权利要求1所述的主动式虚通道参数可配置的磁传感器装置,其特征在于,所述存储器为EEPROM存储器。
5.根据权利要求1所述的主动式虚通道参数可配置的磁传感器装置,其特征在于,还包括:恒压供电模块。
6.一种主动式虚通道参数可配置的磁传感器参数配置方法,其特征在于,应用于如权利要求1-5任意一项所述的主动式虚通道参数可配置的磁传感器装置,所述方法包括:
获取如权利要求1-5任意一项所述的主动式虚通道参数可配置的磁传感器装置存储器中的配置参数;
根据所述配置参数确定参数数据;所述参数数据包括:磁传感动态补偿参数、放大器偏置点设定参数、AD带隙基准设定参数、热敏偏移设定参数、输出钳位电压参数、静态输出电压参数、DA带隙基准电压设定参数、保护参数以及时钟设定参数;
根据所述参数数据完成如权利要求1-5任意一项所述的主动式虚通道参数可配置的磁传感器装置中各部件的参数配置。
7.一种主动式虚通道参数可配置的磁传感器参数配置系统,其特征在于,包括:
获取模块,用于获取如权利要求1-5任意一项所述的主动式虚通道参数可配置的磁传感器装置存储器中的配置参数;
参数数据确定模块,用于根据所述配置参数确定参数数据;所述参数数据包括:磁传感动态补偿参数、放大器偏置点设定参数、AD带隙基准设定参数、热敏偏移设定参数、输出钳位电压参数、静态输出电压参数、DA带隙基准电压设定参数、保护参数以及时钟设定参数;
参数配置模块,用于根据所述参数数据完成如权利要求1-5任意一项所述的主动式虚通道参数可配置的磁传感器装置中各部件的参数配置。
8.一种主动式虚通道参数可配置的磁传感器系统,其特征在于,包括:应用装置和如权利要求1-5任意一项所述的主动式虚通道参数可配置的磁传感器装置;
所述应用装置与所述磁传感器装置连接。
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